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CSD85302L

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20-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共汲極 LGA 1.35 mm x 1.35 mm、24 mOhm、閘極 ESD 防護

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CSD85302L

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產品詳細資料

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YME) 4 1.7161 mm² 1.31 x 1.31
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
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