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CSD87502Q2

現行

30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙 SON 2 mm x 2 mm、42 mOhm、閘極 ESD 防護

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產品規格表

CSD87502Q2

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DLV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

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