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CSD88539ND

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60-V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，雙 SO-8、28 mOhm

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產品詳細資料

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 28 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 11.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Ultra-Low Q g and Q gd
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra-Low Q g and Q gd
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low-current motor control applications.

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* Data sheet CSD88539ND Dual 60 V N-ChannelNexFETPower MOSFETs datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023年 12月 7日

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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