CSD17308Q3

現行

30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、11.8 mOhm

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針腳對針腳的功能與所比較的裝置相同。
CSD17579Q3A 現行 30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、14.2 mOhm This product has similar resistance and a lower price.

產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 11.8 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 50 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 11.8 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 50 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Optimized for 5-V gate drive
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package
  • Optimized for 5-V gate drive
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Lead-free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • VSON 3.3 mm × 3.3 mm plastic package

This 30-V, 8.2-mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm VSON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications.

This 30-V, 8.2-mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm VSON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications.

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