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CSD13201W10

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1 mm、34 mOhm

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CSD13302W 現行 12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1 mm、17.1 mOhm This product has lower resistance and a similar 1 ku price.

產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 34 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 2.3 QGD (typ) (nC) 0.3 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 34 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 2.3 QGD (typ) (nC) 0.3 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² 1.25 x 1.25
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet CSD13201W10 N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2015年 9月 30日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025年 10月 27日
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計與開發

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支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

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模擬型號

CSD13201W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM173B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體

支援產品和硬體

計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

參考設計

TIDA-01236 — 可延長無線超音波氣漏偵測器中的鈕釦芯電池運作時間的參考設計

此參考設計展示了一款低功耗無線感測器,該感測器通過分析超聲波頻譜中的特定特徵來檢測氣體洩漏。此系統設計為由單顆鋰原電池鈕扣電池供電,並以無線方式與基地台通訊,免除所有佈線需求並簡化安裝。此設計整合了超低功耗電池電量計,可準確預測電池健康狀態,並提前通知電池壽命即將結束,以便安排更換電池。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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