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CSD85312Q3E

現行

20-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共源 SON 3 mm x 3、14 mOhm

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產品規格表

CSD85312Q3E

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產品詳細資料

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
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技術文件

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD85312Q3E datasheet 2013年 11月 8日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025年 10月 27日
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
Application note QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

TPS25830Q1EVM-040 — 適用於具有電纜補償和電流限制之 USB Type-C® 和 BC1.2 的 TPS25830-Q1 評估模組

TPS25830Q1EVM-040 是一款評估模組 (EVM)，適用 USB Type-C® 及 BC1.2 5V 3.5A 輸出，以及具纜線補償的 36V 輸入同步降壓。此 EVM 具有電源端子區塊、USB Type-A 和 USB Type-C 連接器，適用於產品充電和數據通訊。電纜補償、電流限制和 DC/DC 頻率可透過 EVM 上的電阻器進行調整。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
開發板

TPS25831Q1EVM-062 — 具有纜線補償和電流限制的 TPS25831-Q1 USB Type-C 和 BC1.2 同步降壓 EVM

入門所需準備：
步驟 1：訂購硬體
步驟 2：下載 EVM 使用者指南

步驟 3：下載設計指南行和應用說明
步驟 4：下載最新參考設計


TPS25831Q1EVM-062 是適用於 USB type-C 和 BC1.2 5V 3.5A 輸出以及具纜線補償的 36V (...)
使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體
下載
模擬型號

CSD85312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM095B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
下載
計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體
下載
參考設計

PMP40725 — CISPR 25 Class 5 400-kHz 額定值 12 W 汽車 USB Type-A 充電器參考設計

此參考設計是一款 EMI 最佳化設計，適用於具有單 12-W 輸出的汽車 USB Type-A 充電器。TPS25846-Q1 可用作 DC-DC 穩壓器和連接埠控制器。切換頻率設為 400 kHz。前端濾波器設計與 PCB 佈線圖經過最佳化，符合嚴格的 CISPR 25 第 5 級傳導電磁干擾 (EMI) 標準。此參考設計已通過測試符合 CISPR 25 第 5 級傳導 EMI 標準，可加快設計時間。
Test report: PDF
電路圖: PDF
參考設計

PMP40544 — 符合 3-m USB-IF 近端規範的車用 USB Type-A 充電器參考設計

符合 3 公尺 USB-IF 近端合規的車用 USB Type-A 充電器參考設計。TPS25840-Q1 可做為 DC-DC 穩壓器和資料開關使用， TUSB217-Q1 則做為高速訊號調節器使用，以提升訊號品質。解決方案在 12-W 輸出時的效率為 93.3%，因此溫度僅上升 20.5°C。可編程纜線下降補償協助可攜式裝置在高負載下，於最佳電流與電壓下充電。USB 2.0 高速近端眼合規測試已通過電纜長度達 3 公尺之設計。
Test report: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

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