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CSD85312Q3E

現行

20-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共源 SON 3 mm x 3、14 mOhm

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產品規格表

CSD85312Q3E

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產品詳細資料

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
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* 資料表 Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD85312Q3E datasheet 2013/11/8
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設計與開發

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開發板

TPS25830Q1EVM-040 — 適用於具有電纜補償和電流限制之 USB Type-C® 和 BC1.2 的 TPS25830-Q1 評估模組

TPS25830Q1EVM-040 是一款評估模組 (EVM)，適用 USB Type-C® 及 BC1.2 5V 3.5A 輸出，以及具纜線補償的 36V 輸入同步降壓。此 EVM 具有電源端子區塊、USB Type-A 和 USB Type-C 連接器，適用於產品充電和數據通訊。電纜補償、電流限制和 DC/DC 頻率可透過 EVM 上的電阻器進行調整。

使用指南: PDF
支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
開發板

TPS25831Q1EVM-062 — 具有纜線補償和電流限制的 TPS25831-Q1 USB Type-C 和 BC1.2 同步降壓 EVM

入門所需準備：
步驟 1：訂購硬體
步驟 2：下載 EVM 使用者指南

步驟 3：下載設計指南行和應用說明
步驟 4：下載最新參考設計


TPS25831Q1EVM-062 是適用於 USB type-C 和 BC1.2 5V 3.5A 輸出以及具纜線補償的 36V (...)
使用指南: PDF
支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體
模擬型號

CSD85312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM095B.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支援產品和硬體
計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
支援產品和硬體
參考設計

PMP40544 — 符合 3-m USB-IF 近端規範的車用 USB Type-A 充電器參考設計

符合 3 公尺 USB-IF 近端合規的車用 USB Type-A 充電器參考設計。TPS25840-Q1 可做為 DC-DC 穩壓器和資料開關使用， TUSB217-Q1 則做為高速訊號調節器使用，以提升訊號品質。解決方案在 12-W 輸出時的效率為 93.3%，因此溫度僅上升 20.5°C。可編程纜線下降補償協助可攜式裝置在高負載下，於最佳電流與電壓下充電。USB 2.0 高速近端眼合規測試已通過電纜長度達 3 公尺之設計。
支援產品和硬體
參考設計

PMP40725 — CISPR 25 Class 5 400-kHz 額定值 12 W 汽車 USB Type-A 充電器參考設計

此參考設計是一款 EMI 最佳化設計，適用於具有單 12-W 輸出的汽車 USB Type-A 充電器。TPS25846-Q1 可用作 DC-DC 穩壓器和連接埠控制器。切換頻率設為 400 kHz。前端濾波器設計與 PCB 佈線圖經過最佳化，符合嚴格的 CISPR 25 第 5 級傳導電磁干擾 (EMI) 標準。此參考設計已通過測試符合 CISPR 25 第 5 級傳導 EMI 標準，可加快設計時間。
支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

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