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CSD17570Q5B

現行

30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 5 mm x 6 mm、0.92 mOhm

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CSD17570Q5B

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.69 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.92 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 93 QGD (typ) (nC) 34 QGS (typ) (nC) 27 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 407 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.69 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.92 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 93 QGD (typ) (nC) 34 QGS (typ) (nC) 27 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 407 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Ultra-Low Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not intended for switching applications.

This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not intended for switching applications.

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