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RDS (on) (Milliohm) 15 VDS (Max) (V) 80 ID (Max) (A) 10 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 15 VDS (Max) (V) 80 ID (Max) (A) 10 Rating Catalog
QFM (MOF) 9 48 mm² 8 x 6
  • 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续电压,100V 脉冲电压额定值
  • 封装经过优化,可实现简单的 PCB 布局,无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
  • 超低共源电感可确保实现高压摆率开关,同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
  • 非常适合隔离式和非隔离式 应用
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 优异的传播延迟(典型值为 29.5ns)和匹配(典型值为 2ns)
  • 低功耗
  • 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续电压,100V 脉冲电压额定值
  • 封装经过优化,可实现简单的 PCB 布局,无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
  • 超低共源电感可确保实现高压摆率开关,同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
  • 非常适合隔离式和非隔离式 应用
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 优异的传播延迟(典型值为 29.5ns)和匹配(典型值为 2ns)
  • 低功耗

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET,它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著,因为其反向恢复电荷几乎为零,输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VCC 电压如何,都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言,该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时,LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级,采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET,它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著,因为其反向恢复电荷几乎为零,输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VCC 电压如何,都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言,该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时,LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

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设计和开发

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评估板

LMG5200EVM-02 — LMG5200 GaN 功率级评估模块

80V 10A 功率级 EVM - LMG5200 EVM 板是易于使用且具有外部 PWM 信号的小型功率级。该 EVM 适用于评估众多不同直流-直流转换器拓扑中 LMG5200 功率级的性能。它可用于估测 LMG5200 的性能,以测量效率。该模块能够提供最大 10A 的电流,不过,需要提供适当的热管理(强制通风、以低频率运行等)以确保不超过规定的温度。该 EVM 不适用于瞬态测量,因为该 EVM 是开环板。
TI.com 無法提供
评估板

LMG5200POLEVM-10 — LMG5200 GaN 48V 至 1V 负载点评估模块

LMG5200POLEVM-10 EVM 旨在评估 48V 至 1V 应用中的 LMG5200 GaN 功率级和 TPS53632G 半桥负载点控制器。该 EVM 将 48V-1V 转换器作为具有电流加倍器整流器的单级硬开关半桥加以实现。该 EVM 支持 36 至 75 伏特的输入电压和高达 50A 的输出电流。该拓扑有效地支持高降压比,同时提供很高的输出电流和可控性。

TI.com 無法提供
子卡

BOOSTXL-3PHGANINV — 具有基于分流的直列式电机相电流检测的 48V 三相逆变器评估模块

BOOSTXL-3PHGANINV 评估模块采用 48V/10A 三相 GaN 逆变器,配备基于分流器的精密直列式相电流感应,从而对精密驱动器(例如,伺服驱动器)进行精准控制。

MathWorks MATLAB & Simulink 示例模型包括以下内容:

 

 

TI.com 無法提供
仿真模型

LMG5200 Unencrypted Spice Transient Model

SNOJ012.ZIP (3 KB) - Spice Model
仿真模型

LMG5200 TINA-TI Transient Spice Model

SNOM477.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

SNOM478C.TSC (58 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LMG5200 PSpice Transient Model (Rev. A)

SNVM711A.ZIP (52 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG5200 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNVM711C.ZIP (54 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
原理图

LMG5200 Power Stage Design Files

SNOR011.ZIP (4042 KB)
PCB 布局

LMG5200POLEVM PCB Design File

SNOR024.ZIP (1553 KB)
参考设计

TIDM-02006 — Distributed multi-axis servo drive over fast serial interface (FSI) reference design

此参考设计展示的是基于快速串行接口 (FSI)、使用 C2000™ 实时控制器的示例分布式或分散式多轴伺服驱动器。多轴伺服驱动器用于工厂自动化和机器人等多种应用。凭借每轴成本、性能和易用性等特性,该驱动器受到上述系统的高度青睐。FSI 是一种可靠的成本优化型高速通信接口,具有低抖动,能以菊花链形式连接多个 C2000 微控制器。在此设计中,每个 TMS320F280049 或 TMS320F280025 实时控制器均作为分布式轴的实时控制器,控制电机的电流控制环。单个 TMS320F28388D 控制各轴的位置和速度控制环。上述 F2838x (...)
参考设计

TIDA-00913 — 具有基于分流电阻的直列式电机相电流检测功能的 48V 三相逆变器参考设计

TIDA-00913 参考设计实现 48V/10A 三相 GaN 逆变器,配备基于分流器的精密直列式相电流感应,从而对精密驱动器(例如,伺服驱动器)进行精准控制。基于分流器的直列式相电流感应的最大挑战之一就是 PWM 开关期间的高共模电压瞬态。INA240 双向电流感应放大器使用增强的 PWM 抑制来克服此问题。此参考设计提供 0 到 3.3V 的输出电压,调节为 ±16.5A,中电压为 1.65V,可在整个温度范围内实现相电流高度准确。TIDA-00913 提供 TI BoosterPack 兼容型接口来连接到 C2000 MCU LaunchPad™ (...)
参考设计

PMP22089 — Half-bridge point-of-load converter reference design with GaN technology

此参考设计将板载变压器的匝数比从 5:1 修改为 3:1,以降低输入范围。该电路板支持 24V 至 32V 的输入电压、0.5V 至 1.0V 的输出电压和高达 40A 的输出电流。该拓扑有效支持高降压比,同时提供高输出电流和可控性。原 EVM 设计用于评估 LMG5200 GaN 半桥功率级和 TPS53632G 半桥负载点 (PoL) 控制器。该电路板通过倍流整流器将转换器作为单级硬开关半桥使用。该电路板是 LMG5200POLEVM-10 评估模块的重新设计版本。
参考设计

TIDM-02007 — Dual-axis servo drive with fast current loop (FCL) control reference design

This reference design presents a dual-axis motor drive using fast current loop (FCL) and software frequency response analyzer (SFRA) technologies on a single C2000 controller. The FCL utilizes dual core (CPU, CLA) parallel processing techniques to achieve a substantial improvement in control (...)
参考设计

TIDA-00909 — 适用于高速驱动应用的 48V/10A 高频 PWM 三相 GaN 逆变器参考设计

低电压高速驱动器和/或低电感无刷电机需要 40kHz 到 100kHz 范围内的更高逆变器开关频率,从而最大限度减少电机中的损失和扭矩波动。TIDA-00909 参考设计通过使用具有三个 80V/10A 半桥 GaN 电源模块 LMG5200 的三相逆变器来实现这一点,并使用基于分流器的相电流感应。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅 FET 快得多,而将 GaN FET 和驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感并优化开关性能,由此可降低损耗,进而可缩小甚至消除散热器。TIDA-00909 提供 TI BoosterPack 兼容型接口来连接到 C2000 MCU (...)
参考设计

PMP4486 — 具有 3 路输出的 48V 输入电压数字 POL 参考设计

PMP4486 是一款基于 GaN 的参考设计解决方案,适用于电信和计算应用。GaN 模块 LMG5200 可实现高效率单级转换,输入范围从 36 至 60V 向下一直到 29V、12V 和 1.0V。此设计展示了具有高集成度和低开关损耗的基于 GaN 的设计所具有的优势。低成本 ER18 平面 PCB 变压器嵌于板上。此参考设计尺寸紧凑 (56mmX86mmX16mm)。
参考设计

PMP4497 — LMG5200 48V 至 1V/40A 单级转换器参考设计

PMP4497 是一款基于 GaN 的参考设计解决方案,适用于 FPGA、ASIC 等 Vcore 应用。凭借高度集成和低开关损耗,GaN 模块 LMG5200 可实现高效率单级 48V 至 1.0V 解决方案,从而取代传统的两级解决方案。此参考设计展示了与两级解决方案相比,此解决方案具有的 GaN 性能和系统优势。低成本 ER18 平面 PCB 变压器嵌于板上。此参考设计尺寸紧凑 (45mm*26mm*11mm)。还可通过优化频率和组件进一步减小尺寸。
封装 引脚数 下载
QFM (MOF) 9 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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