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氮化镓 (GaN) IC

LMG3522R030-Q1

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

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LMG3522R030-Q1

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VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：-40 °C 至 +125 °C，TJ
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 650-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 2.2MHz 开关频率
    • 30V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 由 12V 非稳压电源供电
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3525R030-Q1 中的第三象限损耗
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：-40 °C 至 +125 °C，TJ
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 650-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 2.2MHz 开关频率
    • 30V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 由 12V 非稳压电源供电
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3525R030-Q1 中的第三象限损耗
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感

LMG352xR030-Q1 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG352xR030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与我们的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。其他特性（包括用于 EMI 控制的可调栅极驱动强度、过热保护、稳健过流保护和故障指示）可提供优化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。

高级电源管理功能包括数字温度报告和 TI 的理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，这使系统能够以理想方式管理负载。理想二极管模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗，从而更大限度地提高效率。

LMG352xR030-Q1 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG352xR030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与我们的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。其他特性（包括用于 EMI 控制的可调栅极驱动强度、过热保护、稳健过流保护和故障指示）可提供优化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。

高级电源管理功能包括数字温度报告和 TI 的理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，这使系统能够以理想方式管理负载。理想二极管模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗，从而更大限度地提高效率。
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设计和开发

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评估板

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

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仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
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子卡

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

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仿真模型

LMG3522R030 PSpice Model

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此电源拓扑支持双向功率流（PFC 和并网逆变器）且使用 GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

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TIDA-010236 — 4kW 低成本 GaN Totempole PFC 参考设计

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PMP22650 — 基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计

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