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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG2100R044

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具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

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LMG2100R044

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产品详情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG2100EVM-078 — LMG2100 评估模块

LMG2100 评估模块 (EVM) 是一款紧凑、易用的功率级，可配置为使用半桥设计的降压转换器、升压转换器或其他转换器拓扑。此 EVM 具有一个 LMG2100 半桥电源模块和两个 100V 4.4mΩ GaN FET。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG2100 SIMPLIS Model

SNOM797.ZIP (87 KB) - SIMPLIS Model
下载
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2640 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、105mΩ GaN 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG2652 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、140mΩ GaN 半桥 LMG2656 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、230mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
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参考设计

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
设计指南: PDF
参考设计

PMP23611 — 48V 输入、250W 汽车级双相降压转换器（配备 GaN 半桥功率级）参考设计

此参考设计为汽车高级驾驶辅助系统 (ADAS) 以及信息娱乐系统与仪表组应用提供电源。可在完整的汽车电压范围内运行，最高支持 60V。该设计在 20VIN 至 60VIN 电压范围内展现出 92% 至 96% 的峰值转换效率，并可在 2700mm2 条件下实现高功率密度。这些结果提供了充分的信息，从稳定性、热响应以及在各种输入电压和负载条件下的效率表现等方面，验证了该设计。结果还显示，在 25% 至 75% 负载瞬态事件及 50% 至 100% 负载瞬态事件期间，存在约 5% 的过冲和下冲现象。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010936 — 适用于集成电机驱动器的 48V/16A 小型三相 GaN 逆变器参考设计

此参考设计展示了采用三个具有集成式 GaN FET、驱动器和自举二极管的 100V、35A 氮化镓 (GaN) 半桥 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率级，专门用于电机集成式伺服驱动器和机器人应用。通过使用 IN241A 电流检测放大器，或使用 AMC0106M05 功能隔离式 Δ-Σ 调制器，实现了精确的相电流检测；同时测量了直流链路电压和相电压，从而能够验证诸如 InstaSPINFOC™ 等先进的无传感器设计。该设计提供与 TI BoosterPack™ 兼容的 3.3V I/O 接口，用于连接 C2000™ MCU LaunchPad™ 开发套件或 (...)
设计指南: PDF
参考设计

PMP31349 — 具有 GaN 开关的 30V 至 60V 输入、240W 降压转换器参考设计

此参考设计是一种可从标称 48V 电池输入（30V 至 60V 范围）生成 12V 稳压输出的电源。该电路设计为支持 20A 的连续输出电流。LM5148-Q1 降压控制器为具有集成式栅极驱动器的 LMG2100R044 半桥 GaN 功率级提供开关信号。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010042 — 基于 GaN 的 400W MPPT 充电控制器和电源优化器参考设计

该参考设计是一款适用于 12V 和 24V 电池的最大功率点跟踪 (MPPT) 太阳能充电控制器，未来可用作电源优化器。该参考设计布局紧凑，适用于中小型太阳能充电器设计，可使用 15V 至 60V 太阳能电池板模块、12V 或 24V 电池供电运行，提供高达 16A 的输出电流。该设计利用降压转换器将太阳能电池板电压降低至电池电压。具有内部集成驱动器的半桥功率级由微控制器单元 (MCU) 控制，该微控制器单元使用扰动观测法计算最大功率点。该太阳能 MPPT 充电控制器在设计时便将各种实际设计注意事项考虑在内，其中包括电池反向保护、软件可编程警报和指示以及浪涌和 ESD 保护等。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP23340C2K — 采用 C2000™ MCU 且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 砖型电源模块参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23340UCD — 采用数字电源隔离式控制器且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 砖型参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何通过使用 UCD3138ARJAT 数字电源隔离式控制器，为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。
测试报告: PDF
参考设计

PMP41068 — 采用 GaN 的 100W D 类音频放大器参考设计

此参考设计演示了采用 GaN HEMT 的单端 D 类功率级。本设计采用 LMG2100R044 作为电源开关，工作频率为 1MHz。 
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN-FCRLF (RAR) 16 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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