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RDS (on) (Milliohm) 50 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Approx. price (US$) 9.80 | 1ku Rating Catalog open-in-new 查找其它 氮化镓(GaN) IC

封装|引脚|尺寸

VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8 open-in-new 查找其它 氮化镓(GaN) IC

特性

  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟,确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压,确保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 强大的保护
    • LMG3410R050:锁存过流保护
    • LMG3411R050:逐周期过流保护

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      描述

      LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

      LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

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    类型 标题 下载最新的英文版本 发布
    * 数据表 具有过流保护功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成式 GaN 功率级 数据表 (Rev. A) 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2019年 6月 24日
    更多文献资料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
    用户指南 Using the LMG3410EVM-018 Half-Bridge and LMG34XX-BB--EVM Breakout Board EVM 2019年 3月 8日
    技术文章 20 million GaN reliability hours and counting 2019年 2月 28日
    应用手册 Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
    技术文章 Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts 2018年 12月 19日
    技术文章 20 million reasons to use GaN 2018年 11月 8日
    应用手册 Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage 2018年 10月 23日
    技术文章 Half the space, double the power: How gallium nitride is revolutionizing robotics, renewable energy, telecom and more 2018年 10月 22日
    应用手册 Overcurrent protection in high density GaN power designs 2018年 10月 19日
    更多文献资料 Product-level Reliability of GaN Devices 2016年 4月 26日
    白皮书 Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日

    设计与开发

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    硬件开发

    评估板 下载
    LMG3410R050 daughter card
    LMG3410EVM-018
    document-generic 用户指南
    $199.00
    说明
    LMG3410EVM-018 将两个 LMG3410R050 GaN FET 配置到具有所有必要辅助外围电路的半桥中。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。
    特性
    • 输入电压高达 600V
    • 用于评估 LMG3410 性能的简单开环设计
    • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入(死区时间为 50ns)
    • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点
    评估板 下载
    document-generic 用户指南
    $199.00
    说明
    The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG34XX half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter.  By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching.  This (...)
    特性
    • Input voltage operates up to 600V
    • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3410
    • Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead time
    • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes

    设计工具和仿真

    仿真模型 下载
    SNOM676.ZIP (57 KB) - PSpice Model

    CAD/CAE 符号

    封装 引脚 下载
    VQFN (RWH) 32 视图选项

    订购与质量

    支持与培训

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