LMG3422R050
- 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
- 带集成栅极驱动器的 600V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 3.6MHz 开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 电源供电
- 强大的保护
- 响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- 数字温度 PWM 输出
- LMG3426R050 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
- LMG3427R050 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R050包含零电压检测（ZVD）功能，能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3427R050 包含零电流检测（ZCD）功能，能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。
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技术文档
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设计与开发
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LMG342X-BB-EVM — LMG342x 评估模块
LMG342X-BB-EVM 是易于使用的分线板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、辅助电源和逻辑电路，该评估模块 (EVM) 可用于快速测量氮化镓 (GaN) 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 12A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。
仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
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TIDA-010062 — 1kW、80+ titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC（具有 LFU）参考设计
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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| VQFN (RQZ) | 54 | Ultra Librarian |
订购和质量
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