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VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns CMTI
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式,该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式,该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

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设计和开发

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评估板

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用户指南: PDF | HTML
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用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.B): PDF | HTML
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CAD/CAE 符号

LMG3422R050 Step File

SNOR032.ZIP (411 KB)
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参考设计

TIDA-010062 — 1-kW, 80 plus titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and GaN half-bridge LLC reference design

此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计,适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。 该高效设计支持两个主要功率级,包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 功率级。PFC 功率级采用带有集成驱动器的 LMG341x GaN FET,可在较宽的负载范围内实现高效率,并且符合 80 plus titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式直流/直流级,以便在 1kW 功率下获得 +12V 直流输出。 两个控制卡使用 C2000™ Piccolo™ 微控制器来控制两个功率级。
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PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计

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与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

测试报告: PDF
封装 引脚数 下载
VQFN (RQZ) 54 了解详情

订购和质量

包含信息:
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 认证摘要
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