LMG3522R030

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

产品详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 23.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开,可实现更低的电源环路电感
  • 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 23.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开,可实现更低的电源环路电感

LMG3522R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG3522R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

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设计和开发

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子卡

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
CAD/CAE 符号

LMG3522R030 Step File

SNOR033.ZIP (701 KB)
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2650 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 80V GaN 半桥功率级
计算工具

SNOR029 GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的产品和硬件

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计算工具

SNOR030 GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的产品和硬件

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氮化镓 (GaN) 功率级
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参考设计

TIDA-010938 — 适用于电池储能系统、基于 GaN 的 10kW 单相串式逆变器参考设计

此参考设计是一款具有两个串式输入的单相串式逆变器,每个串式输入都能够处理 10 个串联的 PV 电池板和一个可处理 80V 至 500V 电池组的储能系统端口。从串式输入到电池储能系统的额定功率高达 10kW。可配置的交流/直流转换器可在 230V 电压下向单相电网连接输入高达 3.6kW。
设计指南: PDF
参考设计

PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高压转低压直流/直流转换器参考设计

此参考设计介绍了一款采用 650V 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)的 3.5kW 高压转低压直流/直流转换器。采用 LMG3522R030 作为初级开关可使该转换器在高开关频率下工作。在此设计中,转换器使用了尺寸更小的变压器。为了轻松满足有源钳位金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的热性能要求,转换器使用了双通道有源钳位电路。
测试报告: PDF
参考设计

PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计

该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力,从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN,并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器,可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行,可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23338 — 具有电子计量功能的 3.6kW 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计

此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN) 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 转换器,面向 M-CRPS 电源。此设计包含精度为 0.5% 的电子计量功能,无需使用外部电源计量 IC。该电源旨在支持 16A RMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。此功率级之后是一个小型升压转换器,这有助于显著缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28003x C2000™ (...)
测试报告: PDF
参考设计

PMP40988 — 变频、ZVS、5kW、基于 GaN 的两相图腾柱 PFC 参考设计

该参考设计为高密度高效 5kW 图腾柱功率因数校正 (PFC) 设计。设计采用两相图腾柱 PFC,能在可变频率和零电压开关 (ZVS) 条件下运行。控制器采用新拓扑和改进型三角电流模式 (iTCM),能够减小尺寸并提高效率。设计方案为在 TMS320F280049C 微控制器内使用高性能处理内核,可在广泛的工作范围内保证效率。PFC 的运行频率范围为 100kHz 至 800kHz。峰值系统效率为 99%,该数值在 120W/in3 开放式框架功率密度下实现。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23069 — 具有 16A 最大输入的 3kW、180W/in3 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计

该参考设计演示了一种使用 C2000 F28003x 和 F28004x 微控制器控制连续导通模式图腾柱功率因数校正转换器 (PFC) 的方法。此 PFC 还可以在并网(电流控制)模式下用作逆变器。该转换器旨在支持 16ARMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。基于 F28004x 或 F28002x 的 C2000 (...)
测试报告: PDF
参考设计

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB),旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位,可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力,以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN,在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比,LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能,可在更宽的工作范围内保持 ZVS,从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行,可实现 97.74% 的峰值效率。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计

此参考设计具有两个 LMG352XR0X0 650V GaN FET,在半桥配置中集成了驱动器和保护,具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。功率级、栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的,可尽量减少电源环路的寄生电感,减少电压过冲,提升性能。插槽式外部连接配置了此设计,可方便地与外部功率级连接,在各种应用中运行 LMG352XR0X0。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频