产品详细信息

VDS (Max) (V) 650 RDS (on) (Milliohm) 30 ID (Max) (A) 55 Rating Catalog
VDS (Max) (V) 650 RDS (on) (Milliohm) 30 ID (Max) (A) 55 Rating Catalog
  • 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 23.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开,可实现更低的电源环路电感
  • 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 23.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
    • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
  • 强大的保护
    • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开,可实现更低的电源环路电感

LMG3522R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

LMG3522R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

下载

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
NEW LMG3422R030 正在供货 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET Industrial version with bottom-side cooling
LMG3522R030-Q1 预发布 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET Automotive grade version of the same device

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 2
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG3522R030 650V 30mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET 数据表 PDF | HTML 25 Apr 2022
技术文章 The benefits of GaN for battery test systems 07 Oct 2022

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

子卡

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

用户指南: PDF
TI.com 無法提供
CAD/CAE 符号

LMG3522R030 Step File

SNOR033.ZIP (701 KB)
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计

此参考设计具有两个 LMG352XR0X0 650V GaN FET,在半桥配置中集成了驱动器和保护,具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。功率级、栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的,可尽量减少电源环路的寄生电感,减少电压过冲,提升性能。插槽式外部连接配置了此设计,可方便地与外部功率级连接,在各种应用中运行 LMG352XR0X0。
测试报告: PDF
参考设计

PMP40988 — 变频、ZVS、5kW、基于 GaN 的两相图腾柱 PFC 参考设计

该参考设计为高密度高效 5kW 图腾柱功率因数校正 (PFC) 设计。设计采用两相图腾柱 PFC,能在可变频率和零电压开关 (ZVS) 条件下运行。控制器采用新拓扑和改进型三角电流模式 (iTCM),能够减小尺寸并提高效率。设计方案为在 TMS320F280049C 微控制器内使用高性能处理内核,可在广泛的工作范围内保证效率。PFC 的运行频率范围为 100kHz 至 800kHz。峰值系统效率为 99%,该数值在 120W/in3 开放式框架功率密度下实现。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB),旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位,可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力,以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN,在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比,LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能,可在更宽的工作范围内保持 ZVS,从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行,可实现 97.74% 的峰值效率。
测试报告: PDF
封装 引脚数 下载
(RQS) 52 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频