LMG3522R030
- 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 23.6MHz 开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
- 在 7.5V 至 18V 电源下工作
- 强大的保护
- 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- 数字温度 PWM 输出
- 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感
LMG3522R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
LMG3522R030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。
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Zero-voltage switching detection feature
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG3522R030 650V 30mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET 数据表 | PDF | HTML | 下载英文版本 | PDF | HTML | 2022年 4月 25日 |
| 技术文章 | The benefits of GaN for battery test systems | 2022年 10月 7日 |
设计和开发
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子卡
LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET
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用户指南: PDF
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LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOM768.ZIP (340 KB)
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PMP23069 — 具有 16A 最大输入的 3kW、180W/in3 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计
此参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器，旨在实现更高的功率密度。该电源旨在支持 16A RMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。此功率级之后是一个升压转换器，这有助于显著缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装，具有集成驱动器和保护功能，可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000 控制器可用于所有高级控制，包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 (...)
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参考设计
PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计
此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。
测试报告: PDF
| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | 了解详情 |
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