LMG2650
- GaN 功率 FET 半桥：650V
- 低侧和高侧 GaN FET： 95mΩ
- 具有低传播延迟的集成栅极驱动器：< 100ns
- 可编程导通压摆率控制
- 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
- 低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚
- 低侧 (INL) 和高侧 (INH) 栅极驱动互锁
- 高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器
- 智能开关自举二极管功能
- 高侧启动：<8µs
- 低侧和高侧逐周期过流保护
- 过热保护
- AUX 空闲静态电流：250µA
- AUX 待机静态电流：50µA
- BST 空闲静态电流：70µA
- 具有双散热焊盘的 6mm × 8mm QFN 封装
LMG2650 是一款 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2650 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举 FET 和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。
可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地。
可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 控制高侧 GaN 功率 FET。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。
LMG2650 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG2650 具有集成驱动器和电流检测仿真功能的 650V 95mΩ GaN 半桥 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-3-9 | |
| 应用手册 | UCC25661x 常见问题解答 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-7-7 | ||
| 产品概述 | HVDC QFN 封装 GaN 功率器件 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-4-9 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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订购和质量
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