LMG2650
- 650V GaN 功率 FET 半桥
- 95mΩ 低侧和高侧 GaN FET
- 传播延迟低于 100ns 的集成栅极驱动器
- 可编程导通压摆率控制
- 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
- 低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚
- 低侧 (INL)/高侧 (INH) 栅极驱动互锁
- 高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器
- 智能开关自举二极管功能
- 高侧启动:<8µs
- 低侧/高侧逐周期过流保护
- 过热保护
- AUX 空闲静态电流:250µA
- AUX 待机静态电流:50µA
- BST 空闲静态电流:85µA
- 具有双散热焊盘的 8mm x 6mm QFN 封装
LMG2650 是一款 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2650 通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。
可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,低侧电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。
高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中,高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充,并且反向恢复电荷为零。
LMG2650 具有低静态电流和快速启动时间,可满足转换器轻负载效率要求,并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。
技术文档
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查看全部 2 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LMG2650 具有集成驱动器和电流检测仿真功能的 650V 95 mΩ GaN 半桥 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 11月 1日 |
EVM 用户指南 | LMG2650 Half-Bridge Daughtercard Evaluation Module User's Guide | PDF | HTML | 2024年 12月 4日 |
设计和开发
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计算工具
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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UNKNOWN (RFB) | 19 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点