LMG2100R026
- 集成式半桥 GaN FET 和驱动器
- 93V 连续 100V 脉冲式电压额定值
- 封装经过优化，便于 PCB 布局
- 高压摆率开关，低振铃
- 5V 外部辅助电源
- 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
- 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
- 出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
- 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
- 电源轨欠压锁定保护
- 低功耗
- 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
- 大型 GND 焊盘实现底面散热
LMG2100R026 器件是一款 93V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，采用半桥配置，由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。
GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和两个 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG2100R026 100V、 53A GaN 半桥功率级 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024-10-27 |
| 应用简报 | GaN FET 在类人机器人中的应用 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025-1-17 |
设计与开发
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评估板
BOOSTXL-LMG2100-MD — LMG2100 升压评估模块
BOOSTXL-LMG2100-MD 评估模块 (EVM) 采用 GaN 逆变器，具备基于分流器的精密直列式相电流检测功能，从而能够对精密驱动器（例如，伺服驱动器）进行精准控制。EVM 提供与 TI BoosterPack™ 兼容的接口，用于连接到 C2000™ MCU LaunchPad™ 开发套件，以便轻松评估性能。
评估板
BP-AMC0106-LMG-MD — BP-AMC0106-LMG-MD 评估模块
BP-AMC0106-LMG-MD 评估模块 (EVM) 是一款基于氮化镓 (GaN) 的高级逆变器，具有基于分流器的精密隔离式相电流检测以及 AMC0106M05 Δ-Σ 调制器。利用这项技术，可精确控制高精度驱动器（包括伺服驱动器）。EVM 提供与 TI BoosterPack™ 兼容的接口，用于无缝连接到 C2000™ 微控制器 (MCU) LaunchPad™ 开发套件，以便轻松评估性能。此 EVM 是 TIDA-010936 和 BOOSTXL-LMG2100-MD EVM 的后继产品。
评估板
LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 评估模块
LMG2100EVM-097 是一款具有外部 PWM 信号且易于使用的紧凑型功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该评估模块具有一个 LMG2100R026 半桥电源模块，该模块具有两个由 90V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、2.6mΩ GaN FET。
计算工具
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
参考设计
PMP23591 — 具有 GaN 开关的 20V 至 60V 输入电压、600W 汽车级两相降压转换器参考设计
此参考设计可从额定的 48V 输入生成稳定的 12V 输出。此设计可以处理高达 50A 的最大电流，每相电流高达 25A。LM5137F-Q1 控制器通过集成的栅极驱动器为 LMG2100R026 半桥氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 提供开关信号。
参考设计
PMP31306 — 适用于 H 类音频应用、基于 GaN 的双相升压转换器参考设计
本设计是一款适用于 H 类音频应用的双相汽车级升压转换器，使用 LMG2100R026 氮化镓 (GaN) 半桥并提供模拟或数字输出电压跟踪。在 11V 输入电压下，输出功率为 1000W（12V 时峰值为 1250W）。转换器的大小为 47mm× 48mm，不包括反极性保护和大容量输入电容。本设计基于 LM5125-Q1。引脚兼容的 LM51251-Q1 型号提供额外的 I²C 用于诊断和控制功能，也可用在此设计中。
参考设计
TIDA-010949 — 基于 GaN 且具有有线和无线通信功能的 600W 太阳能电源优化器参考设计
此参考设计是一款太阳能电源优化器，可支持高达 80V 的输入电压和 80V 的输出电压，提供高达 18A 的输出和输入电流。该设计使用可配置的四开关降压/升压转换器将电池板电流升压或降压至串电流。旁路电路使用基于智能二极管控制器的设计。
此参考设计包含电力线通信 (PLC)，还提供无线通信功能。数字控制和通信均在单个 C2000™ 微控制器 (MCU) 中实现。
参考设计
TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 单相周波转换器参考设计
该参考设计基于周波转换器 (AC-DAB) 拓扑和 TI GaN 功率级，实现了 600W 双向单级直流-交流逆变器。该设计在直流侧支持最高 60V 和 ±16A，在单相侧支持 230VAC 和 2.6A。该逆变器支持双向功率流，可用于各种应用，例如光伏微型逆变器或电池储能系统 (BESS)。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
订购和质量
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