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RDS (on) (Milliohm) 70 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 70 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项
    • LMG3410R070:锁存过流保护
    • LMG3411R070:逐周期过流保护
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项
    • LMG3410R070:锁存过流保护
    • LMG3411R070:逐周期过流保护

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

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技术文档

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设计和开发

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评估板

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板,可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

仅需要单脉冲宽度调制输入,即可在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板,可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板(作为同步降压转换器)。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量,因为该板是开环板。
仅需要单脉冲宽度调制输入,在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
 
LMG3410-HB-EVM (...)
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LMG3411EVM-029 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

LMG3411EVM-029 将两个 LMG3411R070 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。此 EVM 需要与大型系统配合使用。
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计

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PMP20289 — 采用高电压 GaN 器件的 400V – 12V/500W 高频谐振转换器参考设计

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参考设计

PMP20637 — 具有 TI HV GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计

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参考设计

PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 谐振转换器参考设计

此参考设计是一种高频谐振转换器参考设计。使用谐振频率为 500kHz 的谐振回路,可将输出电压调节至 24V,输入电压介于 380V 至 400V 之间。此设计使用 TI 的高电压 GaN 器件 LMG3410R070 以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通,实现了 97.9% 的峰值效率。
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PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 谐振转换器参考设计

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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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