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LMG2104R022

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具有增强型集成驱动器和保护功能的 100V、2.2mΩ 半桥 GaN FET

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LMG2104R022

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产品详情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.2 ID (max) (A) 70 Features Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle over-current protection, Half-bridge, Overtemperature protection, Shoot-Through Protection, Short-circuit protection, Slew Rate Control, Top-side cooled, Undervoltage protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.2 ID (max) (A) 70 Features Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle over-current protection, Half-bridge, Overtemperature protection, Shoot-Through Protection, Short-circuit protection, Slew Rate Control, Top-side cooled, Undervoltage protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² (7 mm × 4.5 mm)
  • 集成驱动器的 GaN 半桥功率级100V（GaN FET 选项：2.2mΩ 和 4.4mΩ）
  • 高效率、高密度的功率转换
    • 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (2ns)
    • 两个 GaN FET 的导通和关断压摆率可独立控制
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • 支持理想二极管模式 (IDM)，降低软开关应用下的第三象限损耗
  • 输入控制灵活多样
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 强大的保护
    • IIM 模式下的互锁保护 (LMG2104)
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 外置辅助供电电源：5V
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热
  • 集成驱动器的 GaN 半桥功率级100V（GaN FET 选项：2.2mΩ 和 4.4mΩ）
  • 高效率、高密度的功率转换
    • 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (2ns)
    • 两个 GaN FET 的导通和关断压摆率可独立控制
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • 支持理想二极管模式 (IDM)，降低软开关应用下的第三象限损耗
  • 输入控制灵活多样
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 强大的保护
    • IIM 模式下的互锁保护 (LMG2104)
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 外置辅助供电电源：5V
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热

LMG210xR0xx 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。

LMG210xR0xx 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。
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* 数据表 LMG210xR0xx 100V GaN 半桥功率级，集成保护功能和 智能开关特性 PDF | HTML PDF | HTML 2026-5-19
证书 LMG210XEVM-143 EU Declaration of Conformity (DoC) 2025-9-18

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 评估模块

LMG210XR044 评估模块是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该器件可用于评估 LMG210XR044 作为硬开关转换器的性能，以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt（压摆率）等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR044 半桥电源模块，后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、4.4mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应，因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。该 EVM 安装有 LMG2104R044 器件。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 评估模块

LMG210XR022 评估模块 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该 EVM 可用于评估 LMG210XR022 作为硬开关转换器的性能，以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt（压摆率）等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR022 半桥电源模块，后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、2.2mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应，因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。此 EVM 搭载 LMG2104R022 器件。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频