主页 电源管理 功率级 氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3427R050

正在供货

具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET

产品详情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能与缓解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 电源供电
  • 强大的保护
    • 响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • LMG3426R050 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能(ZCD)
  • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
  • 带集成栅极驱动器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 3.6MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率,用于优化开关性能与缓解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 电源供电
  • 强大的保护
    • 响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • LMG3426R050 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能(ZCD)

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R050包含零电压检测(ZVD)功能,能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3427R050 包含零电流检测(ZCD)功能,能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R050包含零电压检测(ZVD)功能,能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3427R050 包含零电流检测(ZCD)功能,能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。

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技术文档

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* 数据表 集成了驱动器、保护与温度报告功能的 LMG342xR050 600 V 50 mΩ GaN FET 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 7月 24日
应用手册 如何避免LMG3427在TCM PFC中由相间电容引起的 ZCD时序问题 2025年 11月 25日

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

LMG3422EVM-043 将两个 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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