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RDS (on) (Milliohm) 50 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Approx. price (US$) 9.80 | 1ku Rating Catalog open-in-new 查找其它 氮化镓(GaN) IC

封装|引脚|尺寸

VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8 open-in-new 查找其它 氮化镓(GaN) IC

特性

  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟,确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压,确保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 强大的保护
    • LMG3410R050:锁存过流保护
    • LMG3411R050:逐周期过流保护

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      描述

      LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

      LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

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    技术文档

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    类型 标题 下载最新的英文版本 发布
    * 数据表 具有过流保护功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成式 GaN 功率级 数据表 (Rev. A) 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2019年 6月 24日
    用户指南 Using the LMG3410EVM-018 Half-Bridge and LMG34XX-BB--EVM Breakout Board EVM 2019年 3月 8日
    应用手册 Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
    技术文章 A New Understanding: Blast Motion redefines movement, tracking and training for athletes. 2014年 8月 6日
    技术文章 Improving Fly-Buck Regulation Using Opto (Part-1) 2014年 7月 15日
    技术文章 Altium and WEBENCH – together at last 2014年 7月 12日
    技术文章 Using telemetry in point-of-load applications 2014年 6月 24日

    设计与开发

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    硬件开发

    评估板 下载
    LMG3410R070 子卡
    LMG3410-HB-EVM
    document-generic 用户指南
    $199.00
    说明
    LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板,可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板(作为同步降压转换器)。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量,因为该板是开环板。
    仅需要单脉冲宽度调制输入,在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
     
    LMG3410-HB-EVM 使用所有必要的辅助外围电路在半桥中配置两个 LMG3410R070 GaN FET。该 EVM 旨在与更大的系统(如 LMG34XX-BB-EVM 或定制设计的功率级)配合使用。通过在具有便利连接点的高性能布局上提供 LMG3410R070,可以快速轻松地实现运行和电路中的测量。

    无需电平位移或隔离,因为已经包含所有必要的电路。可以通过两种方法生成辅助偏置,默认使用仅需要单个 5V 输入且可配置为通过 12V 电压以引导模式运行的隔离电源。为散热器组合件提供了露铜焊盘,以允许更高的功率耗散。
    特性
    • 输入电压高达 600V
    • 用于评估 LMG3410R070 性能的简单开环设计
    • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入(死区时间为 50ns)
    • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点
    评估板 下载
    LMG3411R050 子卡
    LMG3411EVM-018
    document-generic 用户指南
    $199.00
    说明
    LMG3411EVM-018 将两个 LMG3411R050 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。
    特性
    • 输入电压高达 600V
    • 用于评估 LMG3411R050 性能的简单开环设计
    • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入(死区时间为 50ns)
    • 逐周期过流保护功能
    • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点
    评估板 下载
    document-generic 用户指南
    $199.00
    说明
    The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG34XX half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter.  By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching.  This (...)
    特性
    • Input voltage operates up to 600V
    • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3410
    • Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead time
    • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes

    参考设计

    参考设计 下载
    基于 GaN 的高效率 1.6kW 高密度 1MHz CrM 图腾柱 PFC 转换器参考设计
    TIDA-00961 — 高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-0961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F280049 控制器。此高密度 (165 x 84 x 40mm) 2 级双交错 1.6kW (...)
    document-generic 原理图 document-generic 用户指南
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    采用高电压 GaN 器件的 400V – 12V/500W 高频谐振转换器参考设计
    PMP20289 — PMP20289 经搭建和测试用于验证高频(>400kHz 标称开关频率)LLC 系列谐振转换器 (LLC-SRC) 的性能,此转换器由德州仪器 (TI) 的高压 GaN FET 在标称(390V 至 12V)电压转换中实现。数字控制器 UCD3138A 与 UCD7138 SR 控制器配套使用,以优化 LLC-SRC 效率。TI 的高压直接驱动 GaN FET LMG3410 可用于实现快速开关,并且能够最大限度地缩短半桥开关之间的死区时间。测试结果表明,在 24A 负载下可实现 96.8% 的峰值效率,在 42A 全负载下可实现 96.3% 的效率(390V 至 12V 转换中的开关频率超过 350kHz)。
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    设计文件
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    具有 TI HV GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计
    PMP20637 — This reference design is a high efficiency, high power density and light weight resonant converter reference design. It converts a 390V input to a 48V/1kW output. The PMP20637 power stage has over 140W/in^3 power density. The whole board weight is less than 210g. With fixed 950kHz switching (...)
    document-generic 原理图 document-generic 用户指南
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    效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计
    PMP20873 — Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter.  To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account.  The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN  power stage (...)
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    具有 HV GaN FET 的 24V/500W 谐振转换器参考设计
    PMP21309 — 此参考设计是一种高频谐振转换器参考设计。使用谐振频率为 500kHz 的谐振回路,可将输出电压调节至 24V,输入电压介于 380V 至 400V 之间。此设计使用 TI 的高电压 GaN 器件 LMG3410R070 以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通,实现了 97.9% 的峰值效率。
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    具有 HV GaN FET 的 12V/500W 谐振转换器参考设计
    PMP21842 — This high-frequency resonant converter reference design regulates a 12-V output from a 380-V to 400-V input voltage range using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A peak efficiency of 96.0% (bias supply included) is achieved with this design using our high-voltage GaN device along with (...)
    document-generic 原理图 document-generic 用户指南
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    用于高开关瞬态三相逆变器(用于伺服驱动器)的电流感应参考设计
    TIDA-01455 — TIDA-01455 是增强型隔离式、内联、基于分流的精密相电流感应参考设计,用于三相逆变器。高 PWM 开关下的 GaN 或 SiC 逆变器面临的难题之一是在存在噪声(由于高 PWM (...)
    document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本
    参考设计 下载
    In-phase current-sense reference design for 230-VAC motor drives using hall-effect current sensors
    TIDA-010059 — 此参考设计采用能测量电流的霍尔效应电流传感器 TMCS1100,绝对误差 < 1%(–40°C 至 125°C),工作隔离电压高达 (...)
    document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

    CAD/CAE 符号

    封装 引脚 下载
    VQFN (RWH) 32 视图选项

    订购与质量

    支持与培训

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