LMG3427R030
- 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
- 带集成栅极驱动器的 600V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 2.2MHz 开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 电源供电
- 强大的保护
- 响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- 数字温度 PWM 输出
- LMG3426R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
- LMG3427R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。
LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3426R030包含零电压检测（ZVD）功能，能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3427R030 包含零电流检测（ZCD）功能，能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。
技术文档
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| * | 数据表 | 集成了驱动器、保护与温度报告功能的 LMG342xR030 600 V 30 mΩ GaN FET 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2025年 3月 27日 |
| 应用手册 | 如何避免LMG3427在TCM PFC中由相间电容引起的 ZCD时序问题 | 2025年 11月 25日 |
订购和质量
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