ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
电池反向保护的另一种方法是在低侧(例如接地返回路径)使用 N 沟道 MOSFET。工作原理类似于图 4-1 中的 P 沟道 MOSFET。在正常工作期间,MOSFET 的体二极管将被正向偏置并导通,直到 MOSFET 导通。当电池输入通过限流电阻对栅极充电时,MOSFET 会快速导通。在静态电池反向或动态电池反向条件下,当电池输入开始变为负后,由于栅源电压开始低于 MOSFET Vth 并变为负,MOSFET 将关断。
Topic Link Label4.1描述了动态反极性期间的性能类似于 P 沟道 MOSFET 解决方案。但是,并非所有系统都能承受开/关或负载电流瞬变期间的系统接地电压跳跃,因此在系统设计期间需要考虑这一因素。