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理想二极管 ORing 控制器

LM74720-Q1

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具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

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LM74720-Q1

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Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET, External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Product type Ideal diode controller
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WSON (DRR) 12 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流：运行时 35 µA（最大值）
  • 3.3 µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
  • 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 29 mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断：0.5 µs
  • 高达 100 kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流：运行时 35 µA（最大值）
  • 3.3 µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
  • 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 29 mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断：0.5 µs
  • 高达 100 kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。
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设计与开发

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评估板

LM7472EVM — 理想二极管控制器采用 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 评估模块

TI 的评估模块 LM7472EVM 可帮助设计人员评估 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM7472x-Q1 具有低 IQ，通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应。本评估模块演示了 LM7472x-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
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仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的产品和硬件
参考设计

TIPA-020000 — Mobileye EyeQ™6H 电源设计

此电源设计是我们针对 Mobileye EyeQ™6H SoC 的分立式电源树测试报告的摘要。自动驾驶辅助系统 (ADAS) 等汽车应用使用 ADAS 域控制器处理器，例如 Mobileye EyeQ™6H。这些处理器比较复杂，需要在极低的电压下提供非常高的电流。此外，还需要非常快速的输出电压瞬态响应，以应对处理器负载电流的阶跃变化。这款德州仪器 (TI) 设计以高效且具有成本效益的方式满足快速瞬态响应的严格要求。

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多通道电压监控器用于监控所有与 SoC 相关的电源轨。电源时序可通过任何外部安全 MCU (...)

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian
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