LM74720-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 低静态电流:运行时 35 µA(最大值)
- 3.3 µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
- 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 集成型 29 mA 升压稳压器
- 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
- 高达 100 kHz 的有源整流
- 可调节过压保护
- 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
- 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3 µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。
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功能与比较器件相同,但引脚排列有所不同
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