主页 电源管理 电源开关 理想二极管/ORing 控制器

LM74720-Q1

正在供货

具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器

产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET, External single FET IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
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WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流:运行时 35 µA(最大值)
  • 3.3 µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 29 mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
  • 高达 100 kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流:运行时 35 µA(最大值)
  • 3.3 µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 29 mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
  • 高达 100 kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • LM74721-Q1 引脚对引脚兼容

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3 µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3 µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

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用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
计算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC FET SOA margin calculator for dvdt based startup

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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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