产品详细信息

Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 65 Features Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.032 Iq (Max) (mA) 0.038 IGate source (Typ) (uA) 26.3 IGate sink (Typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (Typ) (A) 2.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive Channel(s) controlled (#) 1 FET External VGS (Max) (V) 13
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WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
  • 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 17mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断:0.5µs
  • 高达 100kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
  • 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 17mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断:0.5µs
  • 高达 100kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • LM74721-Q1 引脚对引脚兼容

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

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设计与开发

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评估板

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现货
数量限制: 5
仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
仿真工具

PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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