产品详细信息

Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 65 Number of channels (#) 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.032 Iq (Max) (mA) 0.038 FET External single FET, External back-to-back FET IGate sink (Typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (Typ) (A) 2.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (Max) (V) 13
Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 65 Number of channels (#) 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.032 Iq (Max) (mA) 0.038 FET External single FET, External back-to-back FET IGate sink (Typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (Typ) (A) 2.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (Max) (V) 13
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 -33V
  • 针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位,从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制
  • 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
  • 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
  • 高达 100 kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • LM74720-Q1 引脚对引脚兼容
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 -33V
  • 针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位,从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制
  • 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
  • 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
  • 高达 100 kHz 的有源整流
  • 可调节过压保护
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • LM74720-Q1 引脚对引脚兼容

LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V(直流)负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计,从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V(直流)负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计,从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护功能,可提供负载突降保护。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

LM74721EVM — 适用于 LM74721-Q1 理想二极管控制器的评估模块

LM74721EVM 评估模块可帮助设计人员评估 LM74721-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM74721-Q1 具有低 IQ,通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应,通过集成的 VDS 钳位可实现输入的无 TVS 运行。本评估模块演示了 LM74721-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。

用户指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚数 下载
WSON (DRR) 12 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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