ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
LM7480-Q1 和 LM7472x-Q1 等理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而仿真具有电源路径开/关控制、浪涌电流限制和过压保护功能的理想二极管整流器。在负载突降等过压故障期间断开负载时,可以使用低压下游组件,因此可实现密集型 ECU 设计,例如 ADAS 摄像头、USB 集线器、激光雷达和 TCU。LM7480x-Q1 和 LM7472x-Q1 具有独立的栅极控制功能,可实现理想二极管控制和开/关控制。
由车辆电池供电的汽车 ECU 设计需要能够承受负载突降。在基于 12V 汽车电池的设计中,抑制的负载突降峰值规格为 35V。在不具备集中式负载突降抑制功能的系统设计中,根据 ISO-16750-2 标准,未抑制负载突降导致的浪涌电压在 12V 系统中不超过 101V,在基于 24V 电池的系统中不超过 202V。传统解决方案使用多个高功率 TVS 堆叠(尺寸与 SMD 相同)在未抑制的负载突降期间钳位到安全电平(低于下游绝对最大电压),从而导致整体解决方案尺寸和前端保护电路 BoM 成本增加。
LM7480-Q1 控制器与采用共源极拓扑配置的外部 MOSFET(如下方图 6-7 所示)一同提供无抑制负载突降保护。