产品详细信息

Vin (Min) (V) 1.5 Vin (Max) (V) 5.5 Features Enable, ON/OFF control Iq (Typ) (mA) 0.00015 Iq (Max) (mA) 0.0003 Operating temperature range (C) -40 to 105, -40 to 125 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Channel(s) controlled (#) 1 FET Internal
Vin (Min) (V) 1.5 Vin (Max) (V) 5.5 Features Enable, ON/OFF control Iq (Typ) (mA) 0.00015 Iq (Max) (mA) 0.0003 Operating temperature range (C) -40 to 105, -40 to 125 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Channel(s) controlled (#) 1 FET Internal
SOT-SC70 (DCK) 6 4 mm² 2 x 2.1
  • 宽工作电压范围:1.5V 至 5.5V
  • 输入电压反向关断电压:
    绝对最大电压为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX):1.5A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 79mΩ(典型值)
    • 3.6V VIN = 91mΩ(典型值)
    • 1.8V VIN = 141mΩ(典型值)
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗:
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN):120nA(典型值)
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN):150nA(典型值)
  • 宽工作电压范围:1.5V 至 5.5V
  • 输入电压反向关断电压:
    绝对最大电压为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX):1.5A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 79mΩ(典型值)
    • 3.6V VIN = 91mΩ(典型值)
    • 1.8V VIN = 141mΩ(典型值)
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗:
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN):120nA(典型值)
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN):150nA(典型值)

LM66100 是单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管,非常适用于各种 解决方案。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET,并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时,该器件被禁用并且 MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压比较低时,MOSFET 开启。LM66100 还具有反极性保护 (RPP) 功能,该功能可以保护器件不受误接线输入的影响,例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100 器件,其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中,该器件将最高输出电压传递到输出端,同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压,以确保内部电压比较器成功阻止反向电流。

LM66100 采用标准 SC-70 封装,工作结温范围为 –40°C 至 125°C。

LM66100 是单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管,非常适用于各种 解决方案。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET,并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时,该器件被禁用并且 MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压比较低时,MOSFET 开启。LM66100 还具有反极性保护 (RPP) 功能,该功能可以保护器件不受误接线输入的影响,例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100 器件,其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中,该器件将最高输出电压传递到输出端,同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压,以确保内部电压比较器成功阻止反向电流。

LM66100 采用标准 SC-70 封装,工作结温范围为 –40°C 至 125°C。

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设计和开发

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评估板

LM66100EVM — LM66100 ±6V、1.5A 低 IQ 理想二极管评估模块

The LM66100 evaluation module (EVM) is an assembled and tested circuit for evaluating the LM66100 ideal diode. The LM66100EVM allows the user to apply different input voltages (1.5 V to 5.5 V) under different loading conditions (0 A to 1.5 A), and evaluate configurations such as Dual ORing and (...)
TI.com 無法提供
评估板

TPS63802HDKEVM — TPS63802HDKEVM - Hardware Development Kit

TPS63802HDKEVM 是一个通用开发工具,用于帮助用户轻松快速地评估和测试最常见的降压/升压转换器用例。用例包括备用电源、输入电流限制、LED 驱动器、数字电压调节、旁路模式和精密使能。用户可以通过更改跳线和 dip 开关在不同用例之间轻松选择。不需要焊接。

TPS63802HDKEVM 使用 TPS63802,输出电压设置为 3.3V。此 EVM 在 1.8V 至 5.5V 输入电压范围内运行。降压模式和升压模式下,可提供高达 2A 的输出电流。

TI.com 無法提供
仿真模型

LM66100 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B) LM66100 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B)

模拟工具

PSPICE-FOR-TI 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

PMP30693 — Supercapacitor backup power supply, input current limit and active cell balancing reference design

此参考设计能够在电源中断期间自动提供备用电压。它管理超级电容器的充电并提供反向阻断保护。超级电容器的最大充电电流和电压可以进行调节。当输入电压发生故障时,降压/升压转换器 (TPS63802) 接管并生成恒定的备用电压。超级电容器的电容和电压定义了可用于备用的能量。PMP30693 可提供 3.7V/300mA 的稳定备用输出,持续 100 秒以上,直到输出电压下降。
参考设计

TIDA-010224 — 可延长电池寿命的低功耗无线摄像头参考设计

该参考设计通过将业界出色的图像处理、连接、传感器及电源进行组合为由电池供电的无线摄像头提供了解决方案。高效的电源转换器以及优化的系统架构有助于延长电池寿命。具有 Wi-Fi 连接器件的
图像处理器可确保安全高质量的实时视频流式传输以及双向音频流式传输,还可以实现降噪和回声消除。该设计包括红外 (IR) LED 和 IR 截止滤光片,以实现夜视功能。
封装 引脚数 下载
SC70 (DCK) 6 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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