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产品详细信息

参数

Vin (Min) (V) 0.48 Vin (Max) (V) 42 Iq (Typ) (mA) 0 Iq (Max) (mA) 0 IGate source (Typ) (uA) 10 IGate source (Max) (uA) 9.4 IGate sink (Typ) (mA) 0.01 IGate pulsed (Typ) (A) 0.1 Features Linear Control Operating temperature range (C) -40 to 125 IReverse (Typ) (uA) 110 VSense reverse (Typ) (mV) 20 Design support Calculation Tool, EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Automotive Channel(s) controlled (#) 1 FET External VGS (Max) (V) 2.5 open-in-new 查找其它 理想二极管/ ORing控制器

封装|引脚|尺寸

VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9 open-in-new 查找其它 理想二极管/ ORing控制器

特性

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果:
    • 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
  • 最低反向电压:45V
  • 正极引脚无正电压限制
  • 适用于外部 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电荷泵栅极驱动器
  • 功耗比肖特基二极管/PFET 解决方案更低
  • 低反极性泄漏电流
  • 零 IQ
  • 2µs 内快速响应反极性情况
  • -40°C 至 125°C 工作环境温度
  • 可用于 OR-ing 应用
  • 符合 CISPR25 EMI 规范
  • 选用了合适的瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管,满足汽车类 ISO7637 瞬态要求

应用

  • 高级驾驶员辅助系统 (ADAS)
  • 信息娱乐系统
  • 电动工具(工业)
  • 传输控制单元 (TCU)
  • 电池 OR-ing 应用

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描述

LM74610-Q1 是一款控制器器件,可与 N 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET,串联电源时可模拟理想二极管整流器。 该机制的独特优势在于不以接地为参考,因此 Iq 为零。

LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。 这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时反向电流的大小和持续时间。 此外,该器件设计选用了合适的 TVS 二极管,符合 CISPR25 5 类 EMI 规范和汽车类 ISO7637 瞬态要求。

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功能相同,但与相比较的设备引脚不同或参数不等效:
LM74700-Q1 正在供货 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器 This product is A high accuracy (6.5%), adjustable current limit (up to 2A) switch.

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
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用户指南 LM74610-SQ EVM User’s Guide 2015年 10月 10日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
1146.54
说明
J6Entry、RSP 和 TDA2E-17 CPU 板 EVM 是一种评估平台,用于加快信息娱乐系统、可重新配置的数字群集或集成数字化驾驶舱以及 ADAS 应用的开发速度,并缩短其上市时间。CPU 板集成了并行摄像头接口、CAN、千兆位以太网、FPD-Link、USB3.0 和 HDMI 等主要外设。
特性
  • 2GB DDR3L
  • LP8733/LP8732 电源解决方案
  • 板载 eMMC、NAND、NOR
  • USB3、USB2、PCIe、以太网、COM8Q、CAN、MLB、MicroSD 和 HDMI 连接器
评估板 下载
2324.44
说明

J6Entry/RSP EVM 是一种评估平台,用于加快信息娱乐系统、可重新配置的数字群集或集成数字化驾驶舱等应用的开发速度,并缩短其上市时间。

主 CPU 板集成了以太网或 HDMI 等主要外设,而信息娱乐应用子板 (JAMR3) 和 LCD/TS 子板将补充 CPU 板,从而提供完整的系统以快速开始评估和应用开发。

特性
  • 具有电容式触控功能的 10.1" 显示
  • JAMR3 无线电调谐器应用板
  • 2GB DDR3L
  • LP8733/LP8732 电源解决方案
  • 板载 eMMC、NAND、NOR
  • USB3、USB2、PCIe、以太网、COM8Q、CAN、MLB、MicroSD 和 HDMI 连接器
评估板 下载
document-generic 用户指南
29
说明

LM74610-DQEVM 评估模块展示了二极管 OR-ing 配置中用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中,两个 LM74610 智能二极管控制器用于驱动两个 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET。LM74610-DQEVM 与两个单独电压轨或电源串联时模拟理想的二极管 OR-ing 属性。此 OR-ing 控制器可让 MOSFET 替代配电网络中的二极管整流器,从而减少功率损耗和压降。在任何输入中感应到负电压时,LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。输出电压继续跟随更高的正电压。两种输入端的 TVS 电压钳位二极管负责保护 LM74610-DQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。

特性
  • 最大反向电压:-45V
  • 快速响应动态电流反向:<10μs
  • 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压:40V
  • 最大负载电流为漏电流 (Id):75A
  • 零 Iq 和低反向漏电流
  • 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求
评估板 下载
document-generic 用户指南
25
说明

LM74610-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中,LM74610 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74610-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时,LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74610-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。

特性
  • 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压:40V
  • 快速响应动态电流反向:<10μs
  • 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压:40V
  • 最大负载电流为漏电流 (Id):75A
  • 零 Iq 和低反向漏电流
  • 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SNOM560C.ZIP (55 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SNOM609.ZIP (28 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型 下载
SNOM610.TSC (778 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真工具 下载
PSPICE® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
特性
  • 利用 Cadence PSpice 技术
  • 带有一套数字模型的预装库可在最坏情形下进行时序分析
  • 动态更新确保您可以使用全新的器件型号
  • 针对仿真速度进行了优化,且不会降低精度
  • 支持对多个产品进行同步分析
  • 基于 OrCAD Capture 框架,提供对业界广泛使用的原理图捕获和仿真环境的访问权限
  • 可离线使用
  • 在各种工作条件和器件容许范围内验证设计,包括
    • 自动测量和后处理
    • Monte Carlo 分析
    • 最坏情形分析
    • 热分析

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