产品详细信息

Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 65 Number of channels (#) 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.032 Iq (Max) (mA) 0.038 FET External single FET, External back-to-back FET IGate sink (Typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (Typ) (A) 2.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (Max) (V) 13
Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 65 Number of channels (#) 1 Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.032 Iq (Max) (mA) 0.038 FET External single FET, External back-to-back FET IGate sink (Typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (Typ) (A) 2.1 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive VGS (Max) (V) 13
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
  • 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 13mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 高达 200 kHz 的有源整流
  • 快速响应反向电流阻断:0.5µs
  • 快速正向 GATE 导通延迟:0.72µs
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 低静态电流:运行时 35µA(最大值)
  • 3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
  • 13mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 集成型 30mA 升压稳压器
  • 高达 200 kHz 的有源整流
  • 快速响应反向电流阻断:0.5µs
  • 快速正向 GATE 导通延迟:0.72µs
  • 可调节过压保护
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护或使用 OV 引脚的过压钳位保护。

LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA(最大值)可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时,静态电流降至 3.3µA(最大值)。该器件具有可调节过压切断保护或使用 OV 引脚的过压钳位保护。

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* 数据表 LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 8月 8日
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用户指南 LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers PDF | HTML 2021年 9月 15日
模拟设计期刊 使用理想二极管控制器实现符合汽车EMC 标准的反向电池保护 下载英文版本 2020年 12月 2日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

LM7472EVM — 适用于 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器的评估模块

TI 的评估模块 LM7472EVM 可帮助设计人员评估 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM7472x-Q1 具有低 IQ,通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应。本评估模块演示了 LM7472x-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。

用户指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚数 下载
WSON (DRR) 12 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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