数据表
LM74722-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 低静态电流：运行时 35µA（最大值）
- 3.3µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
- 13mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 集成型 30mA 升压稳压器
- 高达 200 kHz 的有源整流
- 快速响应反向电流阻断：0.5µs
- 快速正向 GATE 导通延迟：0.72µs
- 可调节过压保护
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
LM74722-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护或使用 OV 引脚的过压钳位保护。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 5
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022-8-8 |
| 应用简报 | 汽车 ECU 设计中的有源整流及其优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022-11-14 | |
| 应用手册 | 理想二极管基础知识 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022-5-26 | |
| 技术文章 | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 2021-11-18 | |||
| 模拟设计期刊 | 使用理想二极管控制器实现符合汽车EMC 标准的反向电池保护 | 英语版 | 2020-12-2 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
LM7472EVM — 理想二极管控制器采用 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 评估模块
TI 的评估模块 LM7472EVM 可帮助设计人员评估 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。LM7472x-Q1 具有低 IQ，通过集成的升压稳压器可实现快速瞬态响应。本评估模块演示了 LM7472x-Q1 如何通过连接理想二极管 MOSFET、使用另一个 MOSFET 实现开关输出和电源路径切断来控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET。
计算工具
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。