产品详细信息

Vin (Min) (V) 3.2 Vin (Max) (V) 65 Features Linear control, Enable, Reverse polarity protection, Reverse current blocking Iq (Typ) (mA) 0.08 Iq (Max) (mA) 0.13 IGate source (Typ) (uA) 11000 IGate sink (Typ) (mA) 2370 IGate pulsed (Typ) (A) 2.3 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -11 Design support EVM Rating Automotive Channel(s) controlled (#) 1 FET External
Vin (Min) (V) 3.2 Vin (Max) (V) 65 Features Linear control, Enable, Reverse polarity protection, Reverse current blocking Iq (Typ) (mA) 0.08 Iq (Max) (mA) 0.13 IGate source (Typ) (uA) 11000 IGate sink (Typ) (mA) 2370 IGate pulsed (Typ) (A) 2.3 Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -11 Design support EVM Rating Automotive Channel(s) controlled (#) 1 FET External
SOT-23 (DBV) 6 5 mm² 2.9 x 1.6 SOT-23-THN (DDF) 8 8 mm² 2.9 x 2.8
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 提供功能安全
  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV 阳极至阴极正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流(EN = 低电平)
  • 80µA 工作静态电流(EN = 高电平)
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 快速响应反向电流阻断: 小于 0.75µs
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 6 引脚和 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
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  • 提供功能安全
  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
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  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV 阳极至阴极正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流(EN = 低电平)
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  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 快速响应反向电流阻断: 小于 0.75µs
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用 6 引脚和 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm

LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压,并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机,并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断,因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。

LM74700-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-Q1 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流。

LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压,并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机,并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断,因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。

LM74700-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-Q1 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流。

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设计与开发

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评估板

LM74700DDFEVM — LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类理想二极管控制器(DDF 封装)评估模块

LM74700DDFEVM 可帮助设计人员评估 LM74700-Q1 的运行情况和性能,LM74700-Q1 是 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽车类二极管控制器(采用 DDF 封装)。此评估模块演示了 N 沟道功率 MOSFET 如何能够仿真具有低 IQ 和 IC 低漏电流的超低正向电压二极管。

现货
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仿真模型

LM74700-Q1 PSpice Transient Model

SNOM667.ZIP (64 KB) - PSpice Model
仿真模型

LM74700-Q1 TINA-TI Transient Model

SNOM691.TSC (149 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真工具

PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI 器件、了解产品系列、打开测试台并对您的设计进行仿真,从而进一步分析选定的器件。您还可对多个 TI 器件进行联合仿真,以更好地展现您的系统。

除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

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SOT-23 (DBV) 6 了解详情
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  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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