ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
肖特基二极管可以替换为 P 沟道 MOSFET 以提供电池反向保护,如图 4-1 所示。为了降低二极管的正向压降,可以将肖特基二极管替换为 P 沟道 MOSFET,并使其体二极管与肖特基二极管的方向相同。在电池正常工作期间,MOSFET 的体二极管将被正向偏置,并导通很短的时间,直到栅极电压被拉至源极以下时会将 MOSFET 导通。当电池极性反转时,栅源电压变为正电压,并将 MOSFET 关断,从而保护下游电路免受负电压的影响。
在输入快速由正变负的动态反极性期间,在栅源电压变为正电压而导致输入开始变为负时,P 沟道 MOSFET 将关断。还需要注意,输出也将接近或低于系统接地的二极管压降,并保护下游直流/直流转换器免受负电压的影响。由于这种 P 沟道 MOSFET 保护功能不会阻止反向电流流回输入端,保持电容器将放电。可以添加一个额外的电路来检测输入和输出之间的电压差,并在输入低于输出时关断 MOSFET,但需要增加成本和布板空间。
在图 4-3 中,当发生输入从 12V 快速变为 -20V 的动态反极性条件时,P 沟道 MOSFET 电路会保护输出免受这种情况的影响。在初始反向电压持续 50 µs 后,输出仍然免受负电压的影响。请注意,由于缺少反向电流阻断功能,输出将完全放电,并且所有保持电容器都会放电。