ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
基于 P 沟道 MOSFET 的反极性保护是工业和汽车应用中非常常用的方案,用于实现低插入损耗保护解决方案。通过将 LM74500-Q1 与外部 N 沟道 MOSFET 结合使用来替代基于 P 沟道 MOSFET 的解决方案,可以实现低损耗反极性保护解决方案。与基于 P 沟道 MOSFET 的解决方案相比,基于 LM74500-Q1 的反极性保护解决方案提供更好的冷启动性能(以低输入电压运行)和更小的解决方案尺寸。图 5-2 比较了 LM74500-Q1 + N 沟道 MOSFET 与基于传统 P 沟道 MOSFET 的反极性保护解决方案的性能优势。
如图 5-2 所示,对于给定的功率水平,LM74500-Q1 + N 沟道 MOSFET 解决方案的尺寸可以只有具有类似额定功率的 P 沟道 MOSFET 解决方案的三分之一。此外,P 沟道 MOSFET 通过将其栅极引脚拉低的简单方法来实现自偏置,因此与 LM74500-Q1 相比,P 沟道 MOSFET 表现出较差的冷启动性能(以低输入电压运行)。在电池电压低于 4V 的严苛冷启动期间,P 沟道 MOSFET 串联电阻急剧增加,如图 5-2 所示。这会导致 P 沟道 MOSFET 上的压降更高。此外,由于栅源电压阈值 (VT) 较高,有时关断 P 沟道 MOSFET 会导致系统复位。另一方面,LM74500-Q1 具有出色的严苛冷启动性能。LM74500-Q1 使外部 FET 保持完全增强,即使在严苛冷启动运行期间输入电压降至 3.2V 也是如此。