主页 电源管理 电源开关 理想二极管/ORing 控制器

LM7480-Q1

正在供货

用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV),能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV),能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能,而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置,可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET,可以保护负载免受过压瞬态(例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降)的影响。

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能,而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置,可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET,可以保护负载免受过压瞬态(例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降)的影响。

下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能优于比较器件,可直接替换
LM7480 正在供货 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 Extended temperature rated version (-55°C to 125°C)

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 12
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 具有负载突降保护功能的 LM7480-Q1 理想二极管控制器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2021年 1月 29日
功能安全信息 LM7480-Q1 Functional Safety FIT Rate, Failure Mode Distribution, and Pin FMA PDF | HTML 2024年 2月 6日
应用简报 在汽车区域模块中使用理想二极管的优先级电源多路复用器 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 6月 7日
应用手册 理想二极管基础知识 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 5月 26日
模拟设计期刊 使用理想二极管控制器实现符合汽车EMC 标准的反向电池保护 英语版 2020年 12月 2日
EVM 用户指南 LM74800 Evaluation Module: LM74800EVM-CD (Rev. A) PDF | HTML 2020年 10月 16日
应用手册 Ideal Diode Controllers for Active Rectification of AC Voltage Ripple 2020年 6月 30日
应用简报 Single Point Failure Protection for Motor Drives and PLC Systems 2020年 6月 30日
白皮书 Selecting Functional Safety Products for Automotive and Industrial ApplicationsK 2020年 6月 9日
白皮书 Selecting Functional Safety Products for Automotive and Industrial ApplicationsN 2020年 6月 9日
白皮书 简化汽车和工业中的功能性安全认证 英语版 2020年 6月 9日
应用手册 Six System Architectures With Robust Reverse Battery Protection 2020年 4月 30日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI's Evaluation Module LM74800EVM-CD helps designers evaluate the operation and performance of the LM7480-Q1 ideal diode controllers (LM74800QDRR and LM74801QDRR) in reverse battery protection applications. This evaluation module demonstrates how LM7480-Q1 controls two back-back N-channel power (...)

用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI 的评估模块 LM74800EVM-CD 可帮助设计人员评估 LM7480-Q1 理想二极管控制器(LM74800QDRR 和 LM74801QDRR)在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7480-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,首先连接理想二极管 MOSFET,之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

LM74800-Q1 PSPICE Transient Model

SLVMDB8.ZIP (145 KB) - PSpice Model
仿真模型

LM74800-Q1 TINA-TI Common Drain Transient Model

SLVMDD0.TSC (407 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

LM74800-Q1 TINA-TI Common Source Transient Model

SLVMDD1.TSC (656 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
理想二极管/ORing 控制器
LM7481-Q1 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器 LM7481 具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM74502-Q1 汽车类反极性保护控制器,过压保护,栅极驱动强度 60μA LM74502 具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H-Q1 汽车类反极性保护控制器,过压保护,栅极驱动强度 11mA LM74720-Q1 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM74721-Q1 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器 LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM7480-Q1 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 LM7480 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器
高侧开关控制器
TPS4800-Q1 具有保护和诊断功能的汽车级 100V 低 IQ 高侧驱动器 TPS4810-Q1 具有短路保护和诊断功能的汽车类 100V 低 IQ 双通道高侧驱动器 TPS4811-Q1 具有保护和诊断功能的 3.5V 至 80V 汽车高侧驱动器 TPS1200-Q1 具有保护和诊断功能的汽车级 45V 低 IQ 高侧驱动器 TPS1210-Q1 具有短路保护和诊断功能的汽车级 45V 低 IQ 双路高侧驱动器 TPS1211-Q1 具有保护和诊断功能的汽车用 3.5V 至 40V 高侧驱动器
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

PMP23146 — 适用于服务器辅助电源且采用 GaN 的 45W 高功率密度有源钳位反激式参考设计

这是基于 GaN 的 45W 有源钳位反激式 (ACF) 参考设计,旨在实现更高的功率密度。此电源旨在为服务器和电信电源单元 (PSU) 提供辅助电源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610 GaN 半桥用于使用 UCC24612 驱动具有同步整流功能的平面变压器。该辅助电源旨在使用 PFC 总线电压作为输入电压来运行,并生成能够提供 3.7A 电流的隔离式 12V 输出和能够提供高达 400mA 电流的非隔离式 18V 输出。主隔离式 12V 输出受 TPS74800 ORing 控制器保护。多个 PMP23146 (...)
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010242 — MIL-STD-1275 浪涌保护参考设计

MIL-STD-1275E 标准提供了适用于军用车辆设备的 28V 直流输入电源这一全新特性。该标准描述了在军用车辆运行期间发生的三个主要事件,必须保护连接至 28V 主电源的任何设备免受这三个事件的影响。这些事件包括反极性、电压尖峰和电压浪涌。要度过这些事件,请勿在反极性事件期间运行保护电路。在尖峰和浪涌事件期间,保护电路的输出应为标称值 28V、最大值 34V。此参考设计采用可处理最大 120W 输出的两级钳位电路。通过实施两级钳位电路,该设计有助于降低物料清单 (BOM) 的总体成本并尽可能减小整体尺寸。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010240 — 可扩展的多智能电池包充电器参考设计

超过 100 瓦时 (Wh) 的锂电池通常不允许放在随身行李中,除非航空公司自行规定并需要事先批准。该参考设计是一种智能高效充电器设计,适用于高达 100Wh 的双智能电池包(实际为采用并联配置的 1 节至 5 节锂离子电池)。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频