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理想二极管/ORing 控制器

LM7480-Q1

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用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

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LM7480-Q1

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Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。

LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。
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设计和开发

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评估板

LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI's Evaluation Module LM74800EVM-CD helps designers evaluate the operation and performance of the LM7480-Q1 ideal diode controllers (LM74800QDRR and LM74801QDRR) in reverse battery protection applications. This evaluation module demonstrates how LM7480-Q1 controls two back-back N-channel power (...)

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评估板

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二极管控制器评估模块

TI 的评估模块 LM74800EVM-CD 可帮助设计人员评估 LM7480-Q1 理想二极管控制器（LM74800QDRR 和 LM74801QDRR）在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示 LM7480-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，首先连接理想二极管 MOSFET，之后连接第二个 MOSFET 以实现开关输出和电源路径切断。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

LM74800-Q1 PSPICE Transient Model

SLVMDB8.ZIP (145 KB) - PSpice Model
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仿真模型

LM74800-Q1 TINA-TI Common Drain Transient Model

SLVMDD0.TSC (407 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

LM74800-Q1 TINA-TI Common Source Transient Model

SLVMDD1.TSC (656 KB) - TINA-TI Spice Model
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计算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的产品和硬件

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产品
理想二极管/ORing 控制器
LM7481-Q1 — 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器 LM7481 — 具有高栅极驱动、温度范围为 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器 LM74502-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 60μA LM74502 — 具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H — 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器 LM74502H-Q1 — 汽车类反极性保护控制器，过压保护，栅极驱动强度 11mA LM74720-Q1 — 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM74721-Q1 — 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器 LM74722-Q1 — 具有 200kHz 有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器 LM7480-Q1 — 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器 LM7480 — 具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器
高侧开关控制器
TPS4800-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车级 100V 低 IQ 高侧驱动器 TPS4810-Q1 — 具有短路保护和诊断功能的汽车类 100V 低 IQ 双通道高侧驱动器 TPS4811-Q1 — 具有保护和诊断功能的 3.5V 至 80V 汽车高侧驱动器 TPS1200-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车级 45V 低 IQ 高侧驱动器 TPS1210-Q1 — 具有短路保护和诊断功能的汽车级 45V 低 IQ 双路高侧驱动器 TPS1211-Q1 — 具有保护和诊断功能的汽车用 3.5V 至 40V 高侧驱动器
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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TIDA-010242 — MIL-STD-1275 浪涌保护参考设计

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设计指南: PDF
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