ZHCAB91B February   2021  – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419

 

  1. 1 理想二极管基础知识
    1.     商标
  2. 1 引言
  3. 2 电池反向保护
    1. 2.1 采用肖特基二极管实现电池反向保护
  4. 3 ORing 电源
  5. 4 采用 MOSFET 实现电池反向保护
    1. 4.1 采用 P 沟道 MOSFET 实现电池反向保护
    2. 4.2 输入短路和电源中断
    3. 4.3 线路干扰期间的二极管整流
    4. 4.4 采用 N 沟道 MOSFET 实现电池反向保护
  6. 5 反极性保护与反向电流阻断
    1. 5.1 反极性保护控制器与理想二极管控制器
    2. 5.2 基于 P 沟道和反极性保护控制器的解决方案的性能比较
  7. 6 什么是理想二极管控制器？
    1. 6.1 线性调节控制与迟滞开/关控制
    2. 6.2 低正向传导损耗
    3. 6.3 快速反向恢复
    4. 6.4 超低关断电流
    5. 6.5 快速负载瞬态响应
    6. 6.6 理想二极管控制器的其他特性
      1. 6.6.1 背对背 FET 驱动理想二极管控制器
      2. 6.6.2 超低静态电流
      3. 6.6.3 无 TVS 运行
  8. 7 使用理想二极管控制器实现汽车瞬态保护
    1. 7.1 LM74700-Q1 与 N 沟道 MOSFET
    2. 7.2 静态反极性
    3. 7.3 动态反极性
    4. 7.4 输入微短路
    5. 7.5 通过二极管对电源线路干扰进行整流
  9. 8 采用理想二极管控制器的 ORing 电源
  10. 9 集成式理想二极管解决方案
  11. 10总结
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

6.6.3 无 TVS 运行

处理能力的提高和电子系统尺寸的小型化增加了对高效率和高功率密度设计的需求。这让系统设计人员面临新的挑战，尤其在设计汽车前端保护系统方面。LM74701-Q1 和 LM74721-Q1 等器件可实现更小的解决方案尺寸和更低的成本，因此适合用于设计空间受限应用（如 ADAS 摄像头模块）的输入反极性保护解决方案。这些器件使用集成式有源钳位来限制负瞬态脉冲期间的输入电压电平。当外部 MOSFET 的漏极和源极上的电压达到 VDSCLAMP 电平时，外部 MOSFET 在饱和区域中运行，作为有源钳位元件，会消耗 ISO7637-2 脉冲 1 负瞬态等事件产生的瞬态脉冲能量。在 VDS 钳位运行期间，器件允许反向电流从输出电容器流回输入源。选择的 VDS 钳位阈值应使其在需要反向电流阻断的汽车 EMC 测试中（例如在交流叠加性能（LV124 E-06、ISO16750-2）测试和输入微短路中断事件 (LV124 E-10) 测试中）不会进入 VDS 钳位模式，从而确保强大的 EMC 性能。更多有关如何设计输入侧无 TVS 反极性保护解决方案的详细信息，请参阅 LM74701-Q1 数据表

GUID-20210601-CA0I-RDZX-NRLR-XK6TPM4DFP2Q-low.gif图 6-8 LM74701-Q1 在 VDS 钳位模式下运行

在车身控制模块负载驱动路径等应用中，需要输入反极性保护但反向电流阻断不是必备要求时，LM74501-Q1 可使用栅极放电计时器特性实现无 TVS 运行，带来了空间和成本上的优势。更多详细信息，请参阅 LM74501 数据表。