ZHCAB91B February 2021 – October 2021 LM5050-1 , LM5050-2 , LM5051 , LM66100 , LM74202-Q1 , LM74500-Q1 , LM74610-Q1 , LM74700-Q1 , LM74720-Q1 , LM74721-Q1 , LM74722-Q1 , LM7480-Q1 , LM7481-Q1 , LM76202-Q1 , SM74611 , TPS2410 , TPS2411 , TPS2412 , TPS2413 , TPS2419
8 采用理想二极管控制器的 ORing 电源
LM74700-Q1 与外部 N 沟道 MOSFET 组合在一起可用于 OR-ing 解决方案，如图 8-1 所示。随着外部 N 沟道 MOSFET 在正常工作期间导通，正向二极管压降会减小。LM74700-Q1 可快速检测到反向电流并迅速拉低 MOSFET 栅极，让 MOSFET 的体二极管阻止反向电流。
图 8-1 典型的 OR-ing 应用有效的 OR-ing 解决方案需要以极快的速度限制反向电流的大小和持续时间。OR-ing 配置中的 LM74700-Q1 器件不断检测阳极和阴极引脚（分别是电源（VIN1、VIN2）和公共负载点的电压电平）之间的电压差。LM74700-Q1 的阳极和阴极引脚会监测 MOSFET 的源漏电压 VDS。只要 V(IN) – V(OUT) 降至 –11 mV 以下，快速比较器就会在 0.75 μs（典型值）内通过快速下拉电阻将栅极驱动器关断。一旦差分正向电压 V(IN) – V(OUT) 超过 50 mV，该器件就会以 11 mA 的栅极充电电流将栅极导通。
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图 8-2 至图 8-5 显示了两个电源轨 VIN1 (12V) 和 VIN2 (15V) 之间的平滑切换。图 8-6 和图 8-7 说明了 VIN2 发生故障时的性能。控制 VIN2 电源轨的 LM74700-Q1 会快速关闭，从而确保输出不间断，并使 VIN1 免受 VIN2 故障的影响。
由于理想二极管控制器的低正向压降，使用肖特基二极管时的功率耗散及其相关的热管理问题将可忽略不计。MOSFET 在高温下的漏电流不如肖特基二极管那样高，并且使用 MOSFET 可降低反向漏电流损耗。因此，系统的整体效率和可靠性将提高。
使用理想二极管控制器时，不存在肖特基二极管正向电压差异及其负温度系数引起的负载共享问题。此外，正向压降的线性调节可增强电源之间的负载共享。