ZHCSXK9B December   2024  – October 2026 BQ41Z90

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能：
  6. 5 引脚等效图
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电源电流
    6. 6.6  电源选择器
    7. 6.7  电流唤醒检测器
    8. 6.8  通用输入/输出
    9. 6.9  辅助 REGOUT LDO
    10. 6.10 LD 引脚
    11. 6.11 货架计时器
    12. 6.12 电芯均衡
    13. 6.13 基于比较器的检测 (SCOMP)
    14. 6.14 SCOMP 时序要求
    15. 6.15 SCD 比较器
    16. 6.16 高侧 NFET 驱动器（CHG 和 DSG 以及 PCHG 和 PDSG）
    17. 6.17 FUSE 引脚
    18. 6.18 闪存存储器
    19. 6.19 接口 I/O
    20. 6.20 I2C 接口时序
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件功能模式
        1. 7.3.1.1 模拟前端 (AFE)
        2. 7.3.1.2 电源管理
          1. 7.3.1.2.1 电源模式配置
          2. 7.3.1.2.2 电源控制
            1. 7.3.1.2.2.1 HIBERNATE 模式
            2. 7.3.1.2.2.2 SHUTDOWN 模式
            3. 7.3.1.2.2.3 SHELF 模式
            4. 7.3.1.2.2.4 唤醒功能
          3. 7.3.1.2.3 电源管理单元
            1. 7.3.1.2.3.1 PMU 概述
          4. 7.3.1.2.4 热关断
          5. 7.3.1.2.5 低压降稳压器 (LDO)
            1. 7.3.1.2.5.1 REG18
            2. 7.3.1.2.5.2 REG135
            3. 7.3.1.2.5.3 REGIO
            4. 7.3.1.2.5.4 REGOUT
        3. 7.3.1.3 复位管理
          1. 7.3.1.3.1 AFE 看门狗
        4. 7.3.1.4 诊断功能
        5. 7.3.1.5 内部振荡器
          1. 7.3.1.5.1 低频振荡器 (LFO)
          2. 7.3.1.5.2 高频振荡器 (HFO)
          3. 7.3.1.5.3 低功耗振荡器 (LPO)
      2. 7.3.2 温度测量
        1. 7.3.2.1 外部温度测量支持
        2. 7.3.2.2 内部温度传感器
      3. 7.3.3 随机电芯连接支持
        1. 7.3.3.1 电芯与互连的 VC 引脚使用
        2. 7.3.3.2 未使用的引脚
      4. 7.3.4 电芯均衡支持
        1. 7.3.4.1 开路检测
      5. 7.3.5 保护和充电控制输出
        1. 7.3.5.1 高侧 NFET 驱动器
        2. 7.3.5.2 预充电和预放电模式
        3. 7.3.5.3 FET 配置
        4. 7.3.5.4 CFETOFF、DFETOFF 引脚功能
        5. 7.3.5.5 DDSG 和 DCHG 引脚运行
        6. 7.3.5.6 硬件故障检测（SCOMP 和 SCD）
        7. 7.3.5.7 FET UVLO 保护
        8. 7.3.5.8 保险丝驱动
      6. 7.3.6 负载检测功能
      7. 7.3.7 MCU 外设
        1. 7.3.7.1 通用和特殊功能 I/O
          1. 7.3.7.1.1 低压 RAx I/O
          2. 7.3.7.1.2 低压 RCx I/O
          3. 7.3.7.1.3 恒定电流阱 I/O
        2. 7.3.7.2 通信接口
          1. 7.3.7.2.1 I2C 接口
          2. 7.3.7.2.2 SMBus 接口
        3. 7.3.7.3 身份验证支持
          1. 7.3.7.3.1 ECC 身份验证
          2. 7.3.7.3.2 SHA-1 支持
          3. 7.3.7.3.3 SHA-2 支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 保护器 FET 旁路电容器和电池包端子旁路电容器
        2. 8.4.1.2 ESD 火花隙
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PVP|64
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.16 高侧 NFET 驱动器（CHG 和 DSG 以及 PCHG 和 PDSG）

所述典型值的条件是 TA = 25°C 且 VBAT = 59.2V，最小值/最大值的条件是 TA = -40°C 至 105°C 且 VBAT = 5V 至 80V（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VFETON相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 LD/PACK 的 DSG 引脚电压，6V ≤ VBAT ≤ 80V，VLD ≤ VDSG(1)(2)VBAT ≥ 6V，CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，电荷泵正常运行设置91012V
VFETON_LP相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 LD/PACK 的 DSG 引脚电压，6V ≤ VBAT ≤ 80V，VLD ≤ VDSG(1)(2)VBAT ≥ 6V，CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，电荷泵低功耗模式设置678.5
VFET_UVLO相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 LD/PACK 的 DSG 引脚电压，6V ≤ VBAT ≤ 80V，VLD ≤ VDSG(1)(2)VBAT ≥ 6V，CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，正常模式设置下的电荷泵4.556.5V
VFET_UVLO_LP相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 LD/PACK 的 DSG 引脚电压，6V ≤ VBAT ≤ 80V，VLD ≤ VDSG(1)(2)VBAT ≥ 6V，CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，低功耗模式设置下的电荷泵 UVLO2.533.5
VSRCFOL_FETON相对于 BAT 的 DSG 导通电压CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，源极跟随器模式0V
VCHGFETOFF相对于 BAT 的 CHG 关断电压CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，稳态值0.7V
VDSGFETOFF相对于 LD/PACK 的 DSG 关断电压CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，稳态值0.1V
tCHG/DSG_FET_ONCHG 和 DSG 上升时间CHG/DSG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，RGATE = 100Ω，0.5V 至 4V 栅源过驱，电荷泵高过驱设置(4)(5)2140µs
tCHGFETOFFCHG 下降至 BAT 的时间CHG CL = 20nF，RGS = 10MΩ，RGATE = 100Ω，V(FETON) 的 90% 至 10%(5)4665µs
tDSGFETOFFDSG 下降至 LD/PACK 的时间DSG CL = 20nF，RGATE = 100Ω，RGS = 10MΩ，V(FETON) 的 90% 至 10%(5)220µs
tPCHG/PDSG_FET_ONPCHG 和 PDSG 上升时间PCHG/PDSG CL = 5nF，RGS = 10MΩ，RGATE = 100Ω，0.5V 至 4V 栅源过驱，电荷泵高过驱设置(4)(5)2140µs
tPCHGFETOFFPCHG 下降至 BAT 的时间PCHG CL = 5nF，RGS = 10MΩ，RGATE = 100Ω，V(FETON) 的 90% 至 10%(5)150250µs
tPDSGFETOFFPDSG 下降至 LD/PACK 的时间PDSG CL = 5nF，RGS = 10MΩ，RGATE = 100Ω，V(FETON) 的 90% 至 10%(5)150250µs
tCP_START电荷泵启动时间CL = 20nF，C(CP1) = 470nF，V(FETON) 的 10% 至 90%20ms
CCP1电荷泵电容器(3)1004702200nF
(1) 当电荷泵未运行时，支持使用高达 80V 的 VBAT 运行。每当电荷泵工作（处于 5.5V 或 11V 模式）时，VBAT 上的最大电压应降低，以确保 CP1、CHG 和 DSG 上的电压不超过其最大额定电压。
(2) 当 DSG 驱动器启用时，CHG 驱动器被禁用，并且会在 LD 引脚上施加一个电压，使 VLD > VDSG，DSG 上的电压将上升至大约 VLD - 0.7V
(3) 根据设计指定
(4) 根据特征确定
(5) 可以在设计和系统评估期间对 RGATE 进行优化，以获得出色性能。可能需要更大的值以避免 FET 导通/关断过快，否则会因电芯和线束电感而导致较大的电压瞬态。