CSD25213W10 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD25213W10 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD25213W10 (正在供货)

P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD25213W10

 

描述

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。

特性

  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 低高度(高度为 0.62mm)
  • 无铅
  • 栅 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

查看更多内容

参数 与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
Id peak (Max) (A)
Id max cont (A)
QG typ (nC)
QGD typ (nC)
QGS typ (nC)
VGSTH typ (V)
Package (mm)
Rating
CSD25213W10 CSD25480F3 CSD25501F3
-20     -20     -20    
-6     -12     -20    
Single     Single     Single    
47     159     76    
67     260     125    
  840     260    
-16     -10.4     -13.6    
-1.6     -1.7     -3.6    
2.2     0.7     1.02    
0.14     0.1     0.09    
0.74     0.26     0.45    
-0.85     -0.95     -0.75    
WLP 1.0x1.0     LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x0.7    
Catalog     Catalog     Catalog    

设计工具