CSD22205L (正在供货)

CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

 

描述

该 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

特性

  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 扁平设计,高度为 0.35mm
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

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参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
High-Side PMOS
CSD22205L CSD22202W15 CSD22204W CSD22206W
-8    -8    -8    -8   
-6    -6    -6    -6   
Single    Single    Single    Single   
9.9    12.2    9.9    5.7   
15    17.4    14    9.1   
40         
-71    -48    -80    -108   
-7.4    -5    -5    -5   
6.5    6.5    18.9    11.2   
1.0    1    4.2    1.8   
1.2    1.6    3.2    2.1   
-0.7    -0.8    -0.7    -0.7   
LGA 1.2x1.2    WLP 1.5x1.5    WLP 1.5x1.5    WLP 1.5x1.5   
YES   YES   YES   YES  

特色工具和软件