LMG342X-BB-EVM

适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM

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概述

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板,可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 12A 的输出电流,从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入,即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入(具有可变死区时间)
  • 锁存过流保护功能
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET
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LMG342X-BB-EVM 是一款原型评估模块,限量出售。

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LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

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LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡

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LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card

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LMG3425EVM-043 — 具有理想二极管模式的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
用户指南 LMG342XEVM-04X 用户指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 14日
证书 LMG342X-BB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 27日

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