LMG3522EVM-042
LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042
概述
LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。
特性
- 输入电压高达 650V
- 用于评估 LMG3522R030-Q1 性能的简单开环设计
- 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入（具有可变死区时间）
- 逐周期过流保护功能
- 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
- 附有风扇的散热器
Gallium nitride (GaN) power stages
开始使用
- 订购具有集成驱动器子卡的 LMG3522EVM-042 汽车类 650V 30mΩ GaN FET
- （可选）订购适用于 LMG342x 系列的 LMG342X-BB-EVM GaN 系统级 EVM
- 阅读 LMG352XEVM-04X 用户指南
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子卡
LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM 用户指南 | LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) | 2021年 2月 3日 | |||
| 数据表 | 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2024年 2月 21日 | |
| 证书 | LMG3522EVM-042 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2020年 10月 26日 |