PMP41068
采用 GaN 的 100W D 类音频放大器参考设计
PMP41068
概述
此参考设计演示了采用 GaN HEMT 的单端 D 类功率级。本设计采用 LMG2100R044 作为电源开关，工作频率为 1MHz。
特性
- 使用 GaN HEMT 电源开关，工作频率可提升到 2MHz 甚至更高。
- 开环配置的 THD 不超过 0.4%。
- 峰值效率为 94.2% @ 54.9
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。
设计文件和产品
设计文件
下载现成的系统文件，加快您的设计过程。
产品
在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。
AC/DC & DC/DC converters (integrated FET)
TPS629210-Q1 — 采用 SOT-583 封装的汽车类 3V 至 17V、1A、高效率和低 IQ 同步降压转换器
数据表: PDF | HTMLGallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET
数据表: PDF | HTML技术文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看所有 1
| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 测试报告 | Discrete Single-Ended Class-D Power Stage Reference Design With GaN HEMT | PDF | HTML | 2023年 11月 9日 |