ZHCSZ74 November   2025 MCF8329HS-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 标准和快速模式下 SDA 和 SCL 总线的特征
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  三相 BLDC 栅极驱动器
      2. 7.3.2  栅极驱动架构
        1. 7.3.2.1 死区时间和跨导预防
      3. 7.3.3  AVDD 线性稳压器
      4. 7.3.4  低侧电流检测放大器
      5. 7.3.5  器件接口模式
        1. 7.3.5.1 接口 - 控制和监控
        2. 7.3.5.2 I2C 接口
      6. 7.3.6  电机控制输入选项
        1. 7.3.6.1 模拟模式电机控制
        2. 7.3.6.2 PWM 模式电机控制
        3. 7.3.6.3 频率模式电机控制
        4. 7.3.6.4 基于 I2C 的电机控制
        5. 7.3.6.5 输入控制信号曲线
          1. 7.3.6.5.1 线性控制曲线
          2. 7.3.6.5.2 阶梯控制曲线
          3. 7.3.6.5.3 正向/反向曲线
          4. 7.3.6.5.4 多基准模式运行
          5. 7.3.6.5.5 不使用分析器情况下的输入基准传递函数
      7. 7.3.7  自举电容器初始充电
      8. 7.3.8  在不同初始条件下启动电机
        1. 7.3.8.1 案例 1 – 电机静止
        2. 7.3.8.2 案例 2 – 电机正向旋转
        3. 7.3.8.3 案例 3 – 电机反向旋转
      9. 7.3.9  电机启动顺序 (MSS)
        1. 7.3.9.1 初始速度检测 (ISD)
        2. 7.3.9.2 电机重新同步
        3. 7.3.9.3 反向驱动
          1. 7.3.9.3.1 反向驱动调谐
        4. 7.3.9.4 电机启动
          1. 7.3.9.4.1 对齐
          2. 7.3.9.4.2 双对齐
          3. 7.3.9.4.3 初始位置检测 (IPD)
            1. 7.3.9.4.3.1 IPD 操作
            2. 7.3.9.4.3.2 IPD 版本
            3. 7.3.9.4.3.3 IPD 超前角度
          4. 7.3.9.4.4 显示首个周期启动
          5. 7.3.9.4.5 开环
          6. 7.3.9.4.6 从开环转换到闭环
      10. 7.3.10 闭环运行
        1. 7.3.10.1 Closed loop accelerate
        2. 7.3.10.2 速度 PI 控制
        3. 7.3.10.3 电流 PI 控制
        4. 7.3.10.4 过调制
        5. 7.3.10.5 Power Loop
        6. 7.3.10.6 调制指数控制
        7. 7.3.10.7 电机速度限制
        8. 7.3.10.8 输入直流功率限制
      11. 7.3.11 每安培最大扭矩 (MTPA) 控制
      12. 7.3.12 弱磁控制
      13. 7.3.13 电机参数
        1. 7.3.13.1 电机电阻
        2. 7.3.13.2 电机电感
        3. 7.3.13.3 电机反电动势常数
      14. 7.3.14 电机参数提取工具 (MPET)
      15. 7.3.15 单霍尔传感器运行
      16. 7.3.16 防电压浪涌 (AVS)
      17. 7.3.17 主动制动
      18. 7.3.18 输出 PWM 开关频率
      19. 7.3.19 死区时间补偿
      20. 7.3.20 电压检测调节
      21. 7.3.21 电机停止运转选项
        1. 7.3.21.1 滑行（高阻态）模式
        2. 7.3.21.2 再循环模式
        3. 7.3.21.3 低侧制动
        4. 7.3.21.4 主动降速
      22. 7.3.22 FG 配置
        1. 7.3.22.1 FG 输出频率
        2. 7.3.22.2 开环中的 FG
        3. 7.3.22.3 电机停止期间的 FG
        4. 7.3.22.4 故障期间的 FG 行为
      23. 7.3.23 保护功能
        1. 7.3.23.1  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.23.2  AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.23.3  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.23.4  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.23.5  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.23.6  VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.23.7  热关断 (OTSD)
        8. 7.3.23.8  硬件锁定检测电流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
          1. 7.3.23.8.1 HW_LOCK_ILIMIT 锁存关断（HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 00xb 或 010b）
          2. 7.3.23.8.2 HW_LOCK_ILIMIT 自动恢复（HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 011b 或 10xb）
          3. 7.3.23.8.3 HW_LOCK_ILIMIT 仅报告 (HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 110b)
          4. 7.3.23.8.4 HW_LOCK_ILIMIT 已禁用 (HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 111b)
        9. 7.3.23.9  锁定检测电流限制 (LOCK_ILIMIT)
          1. 7.3.23.9.1 LOCK_ILIMIT 锁存关断（LOCK_ILIMIT_MODE = 00xb 或 010b）
          2. 7.3.23.9.2 LOCK_ILIMIT 自动恢复（LOCK_ILIMIT_MODE = 011b 或 10xb）
          3. 7.3.23.9.3 LOCK_ILIMIT 仅报告 (LOCK_ILIMIT_MODE = 110b)
          4. 7.3.23.9.4 LOCK_ILIMIT 已禁用 (LOCK_ILIMIT_MODE = 111b)
        10. 7.3.23.10 电机锁定 (MTR_LCK)
          1. 7.3.23.10.1 MTR_LCK 锁存关断（MTR_LCK_MODE = 或 010b）
          2. 7.3.23.10.2 MTR_LCK 自动恢复（MTR_LCK_MODE = 011b 或 10xb）
          3. 7.3.23.10.3 MTR_LCK 仅报告 (MTR_LCK_MODE = 110b)
          4. 7.3.23.10.4 MTR_LCK 已禁用 (MTR_LCK_MODE = 111b)
        11. 7.3.23.11 电机锁定检测
          1. 7.3.23.11.1 锁定 1：异常速度 (ABN_SPEED)
          2. 7.3.23.11.2 锁定 2：异常 BEMF (ABN_BEMF)
          3. 7.3.23.11.3 锁定 3：无电机故障 (NO_MTR)
        12. 7.3.23.12 MPET 故障
        13. 7.3.23.13 IPD 故障
        14. 7.3.23.14 空运行检测
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 待机模式
        3. 7.4.1.3 故障复位 (CLR_FLT)
    5. 7.5 外部接口
      1. 7.5.1 DRVOFF - 栅极驱动器关断功能
      2. 7.5.2 振荡源
      3. 7.5.3 带 MCU 复位的外部看门狗
    6. 7.6 EEPROM 访问和 I2C 接口
      1. 7.6.1 EEPROM 访问
        1. 7.6.1.1 EEPROM 写入
        2. 7.6.1.2 EEPROM 读取
        3. 7.6.1.3 EEPROM 安全性
      2. 7.6.2 I2C 串行接口
        1. 7.6.2.1 I2C 数据字
        2. 7.6.2.2 I2C 写入操作
        3. 7.6.2.3 I2C 读取操作
        4. 7.6.2.4 I2C 通信协议数据包示例
        5. 7.6.2.5 内部缓冲区
        6. 7.6.2.6 CRC 字节计算
  9. 8 EEPROM（非易失性）寄存器映射
    1. 8.1 Algorithm_Configuration 寄存器
    2. 8.2 Fault_Configuration 寄存器
    3. 8.3 Hardware_Configuration 寄存器
    4. 8.4 Internal_Algorithm_Configuration 寄存器
  10. 9 RAM（易失性）寄存器映射
    1. 9.1 Fault_Status 寄存器
    2. 9.2 System_Status 寄存器
    3. 9.3 Algorithm_Control 寄存器
    4. 9.4 器件控制寄存器
    5. 9.5 算法变量寄存器
  11. 10典型应用
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1.      详细设计过程
      2.      自举电容器和 GVDD 电容器选型
      3.      栅极驱动电流
      4.      栅极电阻器选型
      5.      大功率设计中的系统注意事项
      6.      电容器电压等级
      7.      外部功率级元件
    3. 10.3 电源相关建议
      1. 10.3.1 大容量电容
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
      3. 10.4.3 散热注意事项
        1. 10.4.3.1 功率耗散
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ VPVDD ≤ 60V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。典型限值适用于 TA = 25°C、VPVDD = 12V
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（PVDD、GVDD、AVDD、DVDD）
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE = 0，TA = 25°C 3 5 µA
VSPEED/WAKE = 0，TA = 125°C 3.5 6 µA
IPVDDS PVDD 待机模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE < VEN_SB，DRVOFF = 低电平，TA = 25°C，CLOCK_FREQUENCY = 0x0 28 30 mA
VSPEED/WAKE < VEN_SB，DRVOFF = 低电平，CLOCK_FREQUENCY = 0x0 28 30 mA
IPVDDS PVDD 待机模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE < VEN_SB，DRVOFF = 低电平，TA = 25°C，CLOCK_FREQUENCY = 0x1 24 26 mA
VSPEED/WAKE < VEN_SB，DRVOFF = 低电平，CLOCK_FREQUENCY = 0x1 24 26 mA
IPVDDS PVDD 待机模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE < VEN_SB，DRVOFF = 低电平，TA = 25°C，CLOCK_FREQUENCY = 0x2 20 22 mA
VSPEED/WAKE < VEN_SB，DRVOFF = 低电平，CLOCK_FREQUENCY = 0x2 20 22 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TJ = 25°C，未连接 FET 和电机，CLOCK_FREQUENCY = 0x0 28 30 mA
VSPEED/WAKE > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，未连接 FET 和电机，CLOCK_FREQUENCY = 0x0 28 30 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TJ = 25°C，未连接 FET 和电机，CLOCK_FREQUENCY = 0x1 24 26 mA
VSPEED/WAKE > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，未连接 FET 和电机，CLOCK_FREQUENCY = 0x1 24 26 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 12V，VSPEED/WAKE > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TJ = 25°C，未连接 FET 和电机，CLOCK_FREQUENCY = 0x2 20 22 mA
VSPEED/WAKE > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，未连接 FET 和电机，CLOCK_FREQUENCY = 0x2 20 22 mA
ILBSx 自举引脚泄漏电流 VBSTx = VSHx = 60V，VGVDD = 0V，VSPEED/WAKE = 低电平 5 10 16 µA
ILBS_TRAN 自举引脚运行模式瞬态漏电流  GLx = GHx = 开关频率为 20kHz，未连接 FET 60 115 300 µA
VGVDD_RT GVDD 栅极驱动器稳压器电压（室温） VPVDD ≥ 40V，IGS = 10mA，TJ = 25°C 11.8 13 15 V
22V ≤ VPVDD ≤ 40V，IGS = 30mA，TJ = 25°C 11.8 13 15 V
8V ≤ VPVDD ≤ 22V，IGS = 30mA，TJ = 25°C 11.8 13 15 V
6.75V ≤ VPVDD ≤ 8V，IGS = 10mA，TJ = 25°C 11.8 13 14.5 V
4.5V ≤ VPVDD ≤ 6.75V，IGS = 10mA，TJ = 25°C 2*VPVDD - 1 13.5 V
VGVDD GVDD 栅极驱动器稳压器电压  VPVDD ≥ 40V，IGS = 10mA 11.5 15.5 V
22V ≤ VPVDD ≤ 40V，IGS = 30mA 11.5 15.5 V
8V ≤ VPVDD ≤ 22V，IGS = 30mA 11.5 15.5 V
6.75V ≤ VPVDD ≤ 8V，IGS = 10mA 11.5 14.5 V
4.5V ≤ VPVDD ≤ 6.75V，IGS = 10mA 2*VPVDD - 1.4 13.5 V
VAVDD_RT AVDD 模拟稳压器电压（室温），AVDD_VOL_SEL = 0b VPVDD ≥ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA，TJ = 25°C 3.2 3.3 3.34 V
4.5 ≤ VPVDD < 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA，TJ= 25°C 3.13 3.3 3.46 V
VAVDD_RT AVDD 模拟稳压器电压（室温），AVDD_VOL_SEL = 1b VPVDD ≥ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA，TJ = 25°C 4.85 5 5.15 V
VAVDD AVDD 模拟稳压器电压，AVDD_VOL_SEL = 0b VPVDD ≥ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA 3.2 3.3 3.4 V
4.5 ≤ VPVDD < 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA 3.125 3.3 3.5 V
VAVDD AVDD 模拟稳压器电压，AVDD_VOL_SEL = 1b VPVDD ≥ 6V，0mA ≤ IAVDD ≤ 50mA 4.85 5 5.15 V
VDVDD 数字稳压器电压 1.52 1.62 1.7 V
栅极驱动器（GHx、GLx、SHx、SLx）
VGSHx_LO 高侧栅极驱动低电平电压 IGHx = -100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.05 0.11 0.24 V
VGSHx_HI 高侧栅极驱动高电平电压 (VBSTx - VGHx) IGHx = 100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.28 0.44 0.82 V
VGSLx_LO 低侧栅极驱动低电平电压 IGLx = -100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.05 0.11 0.27 V
VGSLx_HI 低侧栅极驱动高电平电压 (VGVDD - VGLx) IGLx = 100mA，VGVDD = 12V，未连接 FET 0.28 0.44 0.82 V
RDS(ON)_PU_HS 高侧上拉开关电阻 IGHx = 100mA，VGVDD = 12V 2.7 4.5 8.4 Ω
RDS(ON)_PD_HS 高侧下拉开关电阻 IGHx = 100mA，VGVDD = 12V 0.5 1.1 2.4 Ω
RDS(ON)_PU_LS 低侧上拉开关电阻 IGLx = 100mA，VGVDD = 12V 2.7 4.5 8.3 Ω
RDS(ON)_PD_LS 低侧下拉开关电阻 IGLx = 100mA，VGVDD = 12V 0.5 1.1 2.8 Ω
IDRIVEP_HS 高侧峰值栅极拉电流 VGSHx = 12V 550 1000 1575 mA
IDRIVEN_HS 高侧峰值栅极灌电流 VGSHx = 0V 1150 2000 2675 mA
IDRIVEP_LS 低侧峰值栅极拉电流 VGSLx = 12V 550 1000 1575 mA
IDRIVEN_LS 低侧峰值栅极灌电流 VGSLx = 0V 1150 2000 2675 mA
RPD_LS 低侧无源下拉电阻 GLx 至 LSS 80 100 120 kΩ
RPDSA_HS 高侧半有源下拉电阻 GHx 至 SHx，VGSHx = 2V 8 10 12.5 kΩ
自举二极管
VBOOTD 自举二极管正向电压 IBOOT = 100µA 0.8 V
IBOOT = 100mA 1.6 V
RBOOTD 自举动态电阻 (ΔVBOOTD/ΔIBOOT) IBOOT = 100mA 和 50mA 4.5 5.5 9 Ω
逻辑电平输入（SCL、SDA、SPEED/WAKE、EXT_WD、HALL_IN）
VIL 输入逻辑低电平电压 AVDD = 3.3V、5V 0.25*AVDD V
VIH 输入逻辑高电平电压 AVDD = 3.3V、5V 0.65*AVDD V
VHYS 输入迟滞 50 500 800 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 AVDD = 3.3V、5V -0.15 0.15 µA
IIH 输入逻辑高电流 AVDD = 3.3V、5V -0.3 0.1 µA
RPD_SPEED 输入下拉电阻 SPEED/WAKE 引脚至 GND 0.6 1 1.4 MΩ
逻辑电平输入 (DRVOFF)
VIL 输入逻辑低电平电压 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 2.2 V
VHYS 输入迟滞 200 400 650 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 引脚电压 = 0V -1 0 1 µA
IIH 输入逻辑高电流 引脚电压 = 5V 7 20 35 µA
RPD_DRVOFF 输入下拉电阻 DRVOFF 至 GND 100 200 300 kΩ
漏极开路输出（nFAULT、FG、nMCU_RST）
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = -5mA 0.4 V
IOZ 输出逻辑高电平电流 VOD = 3.3V 0 0.5 µA
速度输入 - 模拟模式
VANA_FS 模拟全速电压 2.95 3 3.05 V
VANA_RES 模拟电压分辨率 732 μV
速度输入 - PWM 模式
ƒPWM PWM 输入频率 0.01 100 kHz
ResPWM PWM 输入分辨率 fPWM = 0.01 至 0.35kHz 11 12 13 位
fPWM = 0.35 至 2kHz 12 13 14 位
fPWM = 2 至 3.5kHz 11 11.5 12 位
fPWM = 3.5 至 7kHz 13 13.5 14 位
fPWM = 7 至 14kHz 12 12.5 13 位
fPWM = 14 至 29.2kHz 11 11.5 12 位
fPWM = 29.3 至 60kHz 10 10.5 11 位
fPWM = 60 至 95kHz 8 9 10 位
速度输入 - 频率模式
ƒPWM_FREQ PWM 输入频率范围 占空比 = 50% 3 32767 Hz
睡眠模式
VEN_SL 进入睡眠模式的模拟电压 SPEED_MODE = 00b（模拟模式） 40 mV
VEX_SL 退出睡眠模式的模拟电压 2.6 V
tDET_ANA 检测 SPEED/WAKE 引脚上的唤醒信号所需的时间 SPEED_MODE = 00b（模拟模式），VSPEED/WAKE > VEX_SL 0.5 1 1.5 μs
tWAKE 从睡眠模式唤醒的时间 VSPEED/WAKE > VEX_SL 以使 DVDD 电压可用，SPEED_MODE = 00b（模拟模式） 3 5 ms
tEX_SL_DR_ANA 退出睡眠模式后驱动电机所需的时间 SPEED_MODE = 00b（模拟模式）
VSPEED/WAKE > VEX_SL，禁用 ISD 检测		 30 ms
tDET_PWM 检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）11b（频率模式），
VSPEED/WAKE > VIH		 0.5 1 1.5 μs
tWAKE_PWM 从睡眠模式唤醒的时间 VSPEED/WAKE > VIH 以使 DVDD 电压可用并释放 nFault，SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式） 3 5 ms
tEX_SL_DR_PWM 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）
VSPEED/WAKE > VIH，禁用 ISD 检测		 30 ms
tDET_SL_ANA 检测睡眠命令所需的时间 SPEED_MODE = 00b（模拟模式）
VSPEED/WAKE < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b 或 01b		 0.5 1 2 ms
tDET_SL_PWM 检测睡眠命令所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），VSPEED/WAKE < VIL（PWM 模式和频率模式），SLEEP_ENTRY_TIME = 00b 0.035 0.05 0.065 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），VSPEED/WAKE < VIL（PWM 模式和频率模式），SLEEP_ENTRY_TIME = 01b 0.14 0.2 0.26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）、11b（频率模式）或 00b（模拟模式），VSPEED/WAKE < VIL（PWM 模式和频率模式），VSPEED/WAKE < VEN_SL（模拟模式），SLEEP_ENTRY_TIME = 10b 14 20 26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）、11b（频率模式）或 00b（模拟模式），VSPEED/WAKE < VIL（PWM 模式和频率模式），VSPEED/WAKE < VEN_SL（模拟模式），SLEEP_ENTRY_TIME = 11b 140 200 260 ms
tEN_SL 检测到睡眠命令后停止驱动电机所需的时间 VSPEED/WAKE < VEN_SL（模拟模式）或 VSPEED/WAKE < VIL（PWM 和频率模式） 1 2 ms
待机模式
tEX_SB_DR_ANA 退出待机模式后驱动电机所需的时间 SPEED_MODE = 00b（模拟模式）
VSPEED > VEN_SB，禁用 ISD 检测		 6 ms
tEX_SB_DR_PWM 退出待机模式后驱动电机所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）
VSPEED > VIH，禁用 ISD 检测		 6 ms
tDET_SB_ANA 检测待机模式所需的时间 SPEED_MODE = 00b（模拟模式）
VSPEED < VEN_SB		 0.5 1 2 ms
tEN_SB_PWM 检测待机命令所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b		 0.035 0.05 0.065 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 01b		 0.14 0.2 0.26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b		 14 20 26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 11b		 140 200 260 ms
tEN_SB_DIG 检测待机模式所需的时间 SPEED_MODE = 10b（I2C 模式），SPEED_CMD = 0 1 2 ms
tEN_SB 检测到待机命令后停止驱动电机所需的时间 VSPEED < VEN_SL（模拟模式）或 VSPEED < VIL（PWM 模式）或速度命令 = 0（I2C 模式） 1 2 ms
保护电路
VAVDD_UVLO 稳压器欠压锁定 (AVDD-UVLO) 电源上升 2.6 2.7 2.8 V
电源下降 2.6 2.7 2.8 V
VAVDD_UVLO_HYS 稳压器 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 150 190 240 mV
tAVDD_UVLO_DEG 稳压器 UVLO 抗尖峰脉冲时间 5 µs
VDVDD_UVLO 数字稳压器欠压锁定 (DVDD-UVLO) 电源电压上升 1.2 1.28 1.32 V
VDVDD_UVLO 数字稳压器欠压锁定 (DVDD-UVLO) 电源电压下降 1.18 1.23 1.3 V
VPVDD_UV PVDD 欠压锁定阈值 VPVDD 上升 4.3 4.4 4.5 V
VPVDD 下降 4 4.1 4.25
VPVDD_UV_HYS PVDD 欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 225 265 325 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 10 20 30 µs
VAVDD_POR AVDD 电源 POR 阈值 AVDD 上升 2.7 2.85 3.0 V
AVDD 下降 2.5 2.65 2.8
VAVDD_POR_HYS AVDD POR 迟滞 上升至下降阈值 170 200 250 mV
tAVDD_POR_DG AVDD POR 抗尖峰脉冲时间 7 12 22 µs
VGVDD_UV GVDD 欠压阈值 VGVDD 上升 7.3 7.5 7.8 V
VGVDD 下降 6.4 6.7 6.9 V
VGVDD_UV_HYS GVDD 欠压迟滞 上升至下降阈值 800 900 1000 mV
tGVDD_UV_DG GVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 5 10 15 µs
VBST_UV 自举欠压阈值 VBSTx - VSHx，VBSTx 上升 3.9 4.45 5 V
VBSTx - VSHx，VBSTx 下降 3.7 4.2 4.8 V
VBST_UV_HYS 自举欠压迟滞 上升至下降阈值 150 220 285 mV
tBST_UV_DG 自举欠压抗尖峰脉冲时间 2 4 6 µs
VDS_LVL VDS 过流保护阈值基准  SEL_VDS_LVL = 0000 0.04 0.06 0.08 V
SEL_VDS_LVL = 0001 0.09 0.12 0.15 V
SEL_VDS_LVL = 0010 0.14 0.18 0.23 V
SEL_VDS_LVL = 0011 0.19 0.24 0.29 V
SEL_VDS_LVL = 0100 0.23 0.3 0.37 V
SEL_VDS_LVL = 0101 0.3 0.36 0.43 V
SEL_VDS_LVL = 0110 0.35 0.42 0.5 V
SEL_VDS_LVL = 0111 0.4 0.48 0.56 V
SEL_VDS_LVL = 1000 0.5 0.6 0.7 V
SEL_VDS_LVL = 1001 0.65 0.8 0.9 V
SEL_VDS_LVL = 1010 0.85 1 1.15 V
SEL_VDS_LVL = 1011 1 1.2 1.34 V
SEL_VDS_LVL = 1100 1.2 1.4 1.58 V
SEL_VDS_LVL = 1101 1.4 1.6 1.78 V
SEL_VDS_LVL = 1110 1.6 1.8 2 V
SEL_VDS_LVL = 1111 1.7 2 2.2 V
VSENSE_LVL VSENSE 过流保护阈值 LSS 至 GND 引脚 = 0.5V 0.48 0.5 0.52 V
tDS_BLK VDS 过流保护消隐时间  0.5 1 2.7 µs
tDS_DG VDS 和 VSENSE 过流保护抗尖峰脉冲时间  1.5 3 5 µs
tSD_SINK_DIG DRVOFF 峰值灌电流持续时间 3 5 7 µs
tSD_DIG DRVOFF 数字关断延迟 0.5 1.5 2.2 µs
tSD DRVOFF 模拟关断延迟 7 14 21 µs
TOTSD 热关断温度 TJ 上升 160 170 187 °C
THYS 热关断磁滞 16 20 23 °C
I2C 串行接口
VI2C_L 低电平输入电压 -0.5 0.3*AVDD V
VI2C_H 高电平输入电压 0.7*AVDD 5.5 V
VI2C_HYS 迟滞 0.05*AVDD V
VI2C_OL 低电平输出电压 2mA 灌电流漏极开路 0 0.4 V
II2C_OL 低电平输出电流 VI2C_OL = 0.6V 6 mA
II2C_IL SDA 和 SCL 上的输入电流 -10(1) 10(1) µA
Ci SDA 和 SCL 的电容 10 pF
tof 从 VI2C_H（最小值）到 VI2C_L（最大值）的输出下降时间 标准模式 250(2) ns
快速模式 250(2) ns
tSP 必须由输入滤波器进行抑制的尖峰脉冲宽度 快速模式 0 50(3) ns
EEPROM
EEProg 编程电压 1.35 1.5 1.65 V
EERET 保持 TA = 25℃ 100 年
TJ = -40 至 150℃ 10 年
EEEND 耐久性 TJ = -40 至 150℃ 1000 周期
TJ = -40 至 85℃ 20000 周期
(1) 如果 AVDD 关闭，则 I/O 引脚不得妨碍 SDA 和 SCL 线。
(2) SDA 和 SCL 总线的最大 tf (300ns) 长于输出级的额定最大 tof (250ns)。这允许在 SDA/SCL 引脚以及 SDA/SCL 总线之间连接串联保护电阻器 (Rs)，而不超过最大 tf 额定值。
(3) SDA 和 SCL 输入端的输入滤波器可抑制小于 50ns 的噪声尖峰。