ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
PRODUCTION DATA
MCF8329HS-Q1器件集成了三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。电荷泵用于生成 GVDD,以便在宽工作电压范围内提供正确的栅极偏置电压。低侧栅极输出由 GVDD 直接驱动,而高侧栅极输出使用带有集成二极管的自举电路驱动,内部涓流电荷泵支持 100% 占空比运行。