ZHCSZ74 November 2025 MCF8329HS-Q1
PRODUCTION DATA
MCF8329HS-Q1 在高侧和低侧 PWM 信号之间提供了数字死区时间插入,以防止每个半桥的两个外部 MOSFET 同时导通。可以通过配置 EEPROM 寄存器 DIG_DEAD_TIME 在 调整数字死区时间。
所应用的死区时间取决于通过 CLOCK_FREQUENCY 配置的内部时钟频率。有关更多详细信息,参阅死区时间与时钟频率间的关系 表。