ZHCSYH1A June 2025 – December 2025 AFE10004-EP
PRODUCTION DATA
在耗尽模式 FET 中,当在栅极和源极端子之间施加负电压时,通道内会形成载波耗尽区域,从而限制电流流动。在没有负栅极偏置电压的情况下,通道完全打开,最大电流可以从漏极流向源极,这可能因电过应力而迅速损坏器件。当栅极偏置电压变为更负值时,器件会达到夹断状态,此时所有漏源电流都受到限制,FET 实际上处于关断状态。