ZHCAEC8 August   2024 TAC5111-Q1 , TAC5212-Q1 , TAC5301-Q1 , TAC5311-Q1 , TAC5312-Q1 , TAC5411-Q1 , TAC5412-Q1 , TAD5212-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2信号处理链
  6. 3失真限制器
    1. 3.1 失真限制器参数
      1. 3.1.1 阈值最大值
      2. 3.1.2 阈值最小值
      3. 3.1.3 拐点
      4. 3.1.4 斜率
      5. 3.1.5 启动速率
      6. 3.1.6 释放速率
      7. 3.1.7 保持计数器
    2. 3.2 限制器响应
  7. 4欠压保护
    1. 4.1 欠压保护参数
      1. 4.1.1 临界电平
      2. 4.1.2 增益级别
      3. 4.1.3 启动速率
      4. 4.1.4 释放速率
      5. 4.1.5 保持计数器
    2. 4.2 欠压保护响应
  8. 5热折返
    1. 5.1 热折返参数
      1. 5.1.1 温度阈值
      2. 5.1.2 最大衰减阈值
      3. 5.1.3 斜率
      4. 5.1.4 启动系数
      5. 5.1.5 释放系数
      6. 5.1.6 保持计数器
        1. 5.1.6.1 热折返响应
  9. 6示例
  10. 7总结
  11. 8参考资料

4.1.1 临界电平

临界电平 是一个由用户定义的 VBAT 电平参数，用于启动输出信号的增益增减。该上限和下限阈值分别由 YRAM_VSUP_TH1 和 YRAM_VSUP_TH2 系数进行控制。方程式 8 展示了如何根据所需电压值来计算参数。阈值范围为 0.01V 至 15V，支持以 1x10^-6V 的步长进行编程，其中 VS 是电池电源电压 临界电平。

方程式 8. Y R A M _ V S U P _ T H ( 1 / 2 ) =   r o u n d ( V S × 2 11 )

表 4-2 列出了对应于 YRAM_VSUP_TH(1/2) 的寄存器。阈值 1 的默认值 (0x0000199A) 对应于 3.2V，阈值 2 的默认值 (0x00001666) 对应于 2.8V。

表 4-2 用于临界电平的可编程系数寄存器
系数 页 寄存器 复位值 说明
YRAM_VSUP_TH1 0x1A 0x20 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT1[31:24]
0x1A 0x21 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT2[23:16]
0x1A 0x22 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT3[15:8]
0x1A 0x23 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT4[7:0]
YRAM_VSUP_TH2 0x1A 0x28 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT1[31:24]
0x1A 0x29 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT2[23:16]
0x1A 0x2A 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT3[15:8]
0x1A 0x2B 0x00 ASIOUT_BUF_VARS_BYT4[7:0]