ZHCACF7A june   2021  – march 2023 TMS320F2800132 , TMS320F2800133 , TMS320F2800135 , TMS320F2800137 , TMS320F2800152-Q1 , TMS320F2800153-Q1 , TMS320F2800154-Q1 , TMS320F2800155 , TMS320F2800155-Q1 , TMS320F2800156-Q1 , TMS320F2800157 , TMS320F2800157-Q1 , TMS320F280021 , TMS320F280021-Q1 , TMS320F280023 , TMS320F280023-Q1 , TMS320F280023C , TMS320F280025 , TMS320F280025-Q1 , TMS320F280025C , TMS320F280025C-Q1 , TMS320F280033 , TMS320F280034 , TMS320F280034-Q1 , TMS320F280036-Q1 , TMS320F280036C-Q1 , TMS320F280037 , TMS320F280037-Q1 , TMS320F280037C , TMS320F280037C-Q1 , TMS320F280038-Q1 , TMS320F280038C-Q1 , TMS320F280039 , TMS320F280039-Q1 , TMS320F280039C , TMS320F280039C-Q1 , TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1 , TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1 , TMS320F28379S , TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S , TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DK-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 存储器串扰挑战
    2. 1.2 信号调节电路设计资源
      1. 1.2.1 TI 精密实验室 - SAR ADC 输入驱动器设计系列
      2. 1.2.2 模拟工程师计算器
      3. 1.2.3 相关应用报告
      4. 1.2.4 TINA-TI 基于 SPICE 的模拟仿真程序
      5. 1.2.5 PSPICE for TI
      6. 1.2.6 C2000 MCU 的 ADC 输入电路评估
      7. 1.2.7 C2000 ADC 的电荷共享驱动电路
  4. 2ADC 输入趋稳综述
    1. 2.1 ADC 输入趋稳的机制
    2. 2.2 稳定不足的症状
      1. 2.2.1 失真
      2. 2.2.2 存储器串扰
      3. 2.2.3 精度
    3. 2.3 C2000 ADC 架构
  5. 3问题说明
    1. 3.1 示例系统
    2. 3.2 S+H 趋稳分析
    3. 3.3 电荷共享分析
    4. 3.4 问题总结
  6. 4专用 ADC 采样
    1. 4.1 专用 ADC 概念
    2. 4.2 专用 ADC 的趋稳机制
    3. 4.3 专用 ADC 的设计流程
    4. 4.4 专用 ADC 电路的稳定性能仿真
  7. 5预采样 VREFLO
    1. 5.1 VREFLO 采样概念
    2. 5.2 VREFLO 采样方法误差的属性
    3. 5.3 增益误差补偿
      1. 5.3.1 确定补偿系数的方法
    4. 5.4 VREFLO 采样设计流程
    5. 5.5 讨论 VREFLO 采样序列
  8. 6总结
  9. 7参考文献
  10. 8修订历史记录

5.2 VREFLO 采样方法误差的属性

对因 VREFLO 导致存储器串扰的电路进行仿真时，只需对 C2000 MCU 的 ADC 输入电路评估 中提供的标准 ADC 输入趋稳仿真进行极小的更改。默认设置已经强制施加正电压，而 S+H 电容器 CH 从 0V 的初始条件开始。

测量 VREFLO 稳定误差的仿真设置如图 5-2 所示。使用的 S+H 时间为 200ns。表 5-1 展示了针对某个输入电压范围仿真采样电压的结果。从最右侧的“采样电压误差 (%)”列可以看出，包括 VREFLO 串扰误差在内的采样电压表现为线性比例误差（增益误差）。

GUID-6A56D7DF-B216-4950-90E8-5CB986527264-low.png图 5-2 VREFLO 采样仿真原理图
表 5-1 采样电压与具有 VREFLO 串扰的 Vin 间的关系
Vin Vpin 采样电压 采样电压误差 (%)
400V 2.978 2.853 -4.39
300 V 2.233 2.139 -4.39
200V 1.489 1.426 -4.39
100V 0.744 0.713 -4.39