6 两种方法的比较

这两种方法都能够提供电流升压的驱动输出。然而，饱和 MOSFET 提供的阻抗较低，因此，基于饱和 MOSFET 的驱动器可实现的驱动电流要高得多。BJT 驱动器的阻抗相对较高，因为它们在有源区域中工作，因而与另一种方法相比，使用同等尺寸的器件时其驱动电流电平较低。此外，与高电流 MOSFET 相比，高电流 BJT 器件的可用性要低得多。在驱动类似器件时，由于 BJT 的阻抗相对较高，基于 BJT 的驱动器将比基于 MOSFET 的驱动器消耗更多的功率。相对较低的工作温度可提高基于 MOSFET 的驱动器的可靠性。

基于 BJT 的驱动器的主要优点是电路简单。它的元件数较少，且电源方案要简单得多。它还允许轻松扩展在驱动器 IC 内部构建的功能，如 DESAT 保护、米勒钳位等。对于基于 MOSFET 的驱动器，这些功能应根据需要在外部构建。由于在外部增加了 DESAT 保护和钳位电路，栅极驱动器的总体尺寸将增加。然而，基于 MOSFET 的驱动器可提供更大的隔离灵活性，因为它只依赖于变压器和数字隔离器。对于特定的隔离要求，有更多器件可供选择。