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UCC27211

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具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器

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UCC27211A 正在供货 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 Improved robustness

UCC27211

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产品详情

Bus voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input VCC (min) (V) 8 Input VCC (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Negative voltage handling at HS pin (V) -12 Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
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HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 4A 吸收，4A 源输出电流
  • 0.9Ω 上拉和下拉电阻
  • 输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压，并且与电源电压范围无关
  • 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
  • 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
  • 短暂传播延迟时间（典型值 18ns)
  • 2ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 可提供全部行业标准封装（小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装， PowerPADSOIC-8 封装，4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装）
  • -40℃ 至 140℃ 的额定温度范围

应用

  • 针对电信，数据通信和商用的电源
  • 半桥和全桥转换器
  • 推挽转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • D 类音频放大器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 4A 吸收，4A 源输出电流
  • 0.9Ω 上拉和下拉电阻
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  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 可提供全部行业标准封装（小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装， PowerPADSOIC-8 封装，4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装）
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应用

  • 针对电信，数据通信和商用的电源
  • 半桥和全桥转换器
  • 推挽转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • D 类音频放大器

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UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

UCC2721x 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210（伪 CMOS 输入）和 UCC27211（TTL 输入）已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封装。

UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

UCC2721x 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210（伪 CMOS 输入）和 UCC27211（TTL 输入）已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm × 4mm SON-8 (DRM) 和 SON-10 (DPR) 封装。
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UCC27211 Unencrypted PSpice Transient Model

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SLURB12 — UCC272xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件

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半桥驱动器
UCC27200 — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27200-Q1 — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27200A — 具有 8V UVLO、负电压处理能力和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27201 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27201A — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27201A-DIE — 120V 升压、3A 峰值电流、高频、高侧/低侧驱动器 UCC27201A-Q1 — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27210 — 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211A — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211A-Q1 — 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27212 — 具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27212A-Q1 — 具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27282 — 具有 5V UVLO、互锁和使能功能的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27282-Q1 — 具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车级 3A、120V 半桥驱动器 UCC27284 — 具有 5V UVLO 和使能端的 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27284-Q1 — 具有 5V UVLO 的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27288 — 具有 8V UVLO 且无内部自举二极管的 2.5A 至 3.5A 120V 半桥驱动器 UCC27289 — 具有 8V UVLO 和使能功能的 2.5A 至 3.5A、120V 半桥栅极驱动器
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