SM74104
- 可再生能源等级
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿
- 单输入控制
- 自举电源电压高达 118VDC
- 短暂关断传播延迟(典型值为 25ns)
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 电源轨欠压锁定
典型应用
- 电流反馈推挽式电源转换器
- 高电压降压稳压器
- 有源钳位正激电源转换器
- 半桥和全桥转换器
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SM74104 高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。 该悬空高侧驱动器能够在高达 100V 的电源电压下工作。 高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。 该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化,从而避免发生击穿。 除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。 该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。 稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。 该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。
技术文档
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查看全部 5 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | SM74104 具有自适应延迟的高压半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2015年 6月 8日 |
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
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