具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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功能与比较器件相同且具有相同引脚
LM5104 正在供货 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Replacement
功能与比较器件相似
UCC27289 正在供货 具有 8V UVLO 和使能功能的 2.5A 至 3.5A、120V 半桥栅极驱动器 Replacement

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 可再生能源等级
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿
  • 单输入控制
  • 自举电源电压高达 118VDC
  • 短暂关断传播延迟(典型值为 25ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 电源轨欠压锁定

典型应用

  • 电流反馈推挽式电源转换器
  • 高电压降压稳压器
  • 有源钳位正激电源转换器
  • 半桥和全桥转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可再生能源等级
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿
  • 单输入控制
  • 自举电源电压高达 118VDC
  • 短暂关断传播延迟(典型值为 25ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 电源轨欠压锁定

典型应用

  • 电流反馈推挽式电源转换器
  • 高电压降压稳压器
  • 有源钳位正激电源转换器
  • 半桥和全桥转换器

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SM74104 高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。 该悬空高侧驱动器能够在高达 100V 的电源电压下工作。 高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。 该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化,从而避免发生击穿。 除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。 该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。 稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。 该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。

SM74104 高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。 该悬空高侧驱动器能够在高达 100V 的电源电压下工作。 高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。 该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化,从而避免发生击穿。 除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。 该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。 稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。 该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 SM74104 具有自适应延迟的高压半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2015年 6月 8日
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
更多文献资料 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 最新英语版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日

设计和开发

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仿真模型

SM74104 PSPICE Transient Model

SLUM457.ZIP (47 KB) - PSpice Model
仿真模型

SM74104 Unencrypted PSpice Transient Model

SNOM575.ZIP (2 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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