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UCC27301A-Q1

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Automotive 120V 4.5A half-bridge driver with 8V UVLO, interlock, and enable options

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Enable, Integrated bootstrap diode, Interlock, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Enable, Integrated bootstrap diode, Interlock, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 器件温度 1 级
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • HB 引脚上的 120V 绝对最大电压
  • 3.7A 灌电流，4.5A 拉电流输出
  • 8V 至 17V VDD 工作范围（绝对最大值 20V），具有 UVLO 功能
  • HS 引脚上的 -(28-VDD)V 绝对最大负瞬态容差（< 100ns 脉冲）
  • -10V 至 +20V 绝对最大输入引脚容差，与电源电压范围无关（与 TTL 兼容）
  • 开关参数：
    • 20ns 典型传播延迟时间
    • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns，下降时间为 5.5ns
    • 4ns 典型延迟匹配
  • 集成式自举二极管
  • 输入互锁
  • 启用/禁用功能，且禁用时电流消耗较低（典型值为 3µA）（仅限 DRC 封装）
  • 功能安全型
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 器件温度 1 级
  • -40°C 至 +150°C 的结温范围
  • HB 引脚上的 120V 绝对最大电压
  • 3.7A 灌电流，4.5A 拉电流输出
  • 8V 至 17V VDD 工作范围（绝对最大值 20V），具有 UVLO 功能
  • HS 引脚上的 -(28-VDD)V 绝对最大负瞬态容差（< 100ns 脉冲）
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  • 开关参数：
    • 20ns 典型传播延迟时间
    • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns，下降时间为 5.5ns
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  • 集成式自举二极管
  • 输入互锁
  • 启用/禁用功能，且禁用时电流消耗较低（典型值为 3µA）（仅限 DRC 封装）
  • 功能安全型

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制。不过，只要 LI 和 HI 输入同时为高电平，输入互锁逻辑就会将两个驱动器输出变为低电平。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管，因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，可提供对称的开通和关断行为，并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制。不过，只要 LI 和 HI 输入同时为高电平，输入互锁逻辑就会将两个驱动器输出变为低电平。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管，因此无需添加分立式自举二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，可提供对称的开通和关断行为，并且能够在驱动电压低于额定阈值时将输出强制为低电平。
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  • UCC27201A-DIE — 120V 升压、3A 峰值电流、高频、高侧/低侧驱动器
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