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UCC27834

正在供货

230V 3.5A/4A half-bridge gate driver with 8V UVLO and high dV/dt tolerance

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23 Features Interlock
Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23 Features Interlock
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 适用于具有互锁 (UCC27834) 或无互锁 (UCC27884) 的高侧和低侧驱动器的双路独立输入
  • 最大自举电压:+230V(HB 引脚)
  • VDD 偏置电压建议范围:8.5V 至 20V
  • 峰值输出电流:3.5A 拉电流、4A 灌电流
  • 快速传播延迟:29ns(典型值)
  • HO/LO 之间具有严格的传播延迟匹配:< 5ns(最大值)
  • dV/dt 抗扰度:100V/ns
  • 低静态电源电流消耗
    • VDD 上为 150µA(典型值)
    • HB 上为 90µA(典型值)
  • 高侧和低侧通道内置 UVLO 保护:8V
  • 用于自举运行的悬空通道
  • 采用标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数均为全温度范围内的额定值:-40°C 至 +150°C
  • 适用于具有互锁 (UCC27834) 或无互锁 (UCC27884) 的高侧和低侧驱动器的双路独立输入
  • 最大自举电压:+230V(HB 引脚)
  • VDD 偏置电压建议范围:8.5V 至 20V
  • 峰值输出电流:3.5A 拉电流、4A 灌电流
  • 快速传播延迟:29ns(典型值)
  • HO/LO 之间具有严格的传播延迟匹配:< 5ns(最大值)
  • dV/dt 抗扰度:100V/ns
  • 低静态电源电流消耗
    • VDD 上为 150µA(典型值)
    • HB 上为 90µA(典型值)
  • 高侧和低侧通道内置 UVLO 保护:8V
  • 用于自举运行的悬空通道
  • 采用标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数均为全温度范围内的额定值:-40°C 至 +150°C

UCC278X4 是一款 230V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 拉电流和 4A 灌电流,专用于驱动功率 MOSFET。该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),专用于驱动采用自举电源供电和半桥配置的 MOSFET。该器件在两个通道间具有快速的传播延迟和出色的延迟匹配。UCC278X4 支持 8.5V 至 20V 的宽 VDD 工作电压范围,可驱动更广泛的栅极电压,并为低侧 (VDD) 和高侧 (HB) 偏置电源提供 UVLO 保护。UCC27834 提供了互锁功能选项,可防止两个输出同时打开

该器件具有稳健的驱动性能及出色的噪声和瞬态抗扰度,具有高 dV/dt 耐受能力 (100V/ns),而且开关节点 (HS) 具备宽负向瞬态安全工作区 (NTSOA)。UCC278X4 采用 SOIC-8 引脚封装,额定工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

UCC278X4 是一款 230V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 拉电流和 4A 灌电流,专用于驱动功率 MOSFET。该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),专用于驱动采用自举电源供电和半桥配置的 MOSFET。该器件在两个通道间具有快速的传播延迟和出色的延迟匹配。UCC278X4 支持 8.5V 至 20V 的宽 VDD 工作电压范围,可驱动更广泛的栅极电压,并为低侧 (VDD) 和高侧 (HB) 偏置电源提供 UVLO 保护。UCC27834 提供了互锁功能选项,可防止两个输出同时打开

该器件具有稳健的驱动性能及出色的噪声和瞬态抗扰度,具有高 dV/dt 耐受能力 (100V/ns),而且开关节点 (HS) 具备宽负向瞬态安全工作区 (NTSOA)。UCC278X4 采用 SOIC-8 引脚封装,额定工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V UVLO 半桥栅极驱动器评估模块

UCC27288EVM 适用于评估 UCC27288D,后者是一款具备 2.5A 峰值拉电流和 3.5A 峰值灌电流能力的 100V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用作驱动功率 MOSFET 的参考设计,驱动电压高达 20V。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
计算工具

UCC278X4-CALC — UCC278x4 Schematic Review Template

UCC278x4 Schematic Review Template
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010990 — 电池包级电化学阻抗谱 (EIS) 激励参考设计

该参考设计采用双向隔离、多端口双有源电桥 (DAB) DC/DC 转换器,专为电池包 EIS 激励和有源电池包均衡而设计。该设计可以生成 0.04Hz 至 2000Hz 的正弦电流,峰值间振幅高达 10A。此外,该设计还支持恒流 (CC) 和恒压 (CV) 模式,可实现高效的主动电池包均衡。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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